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| 2006-11-10 | 英特爾1Gb單晶片65nm MLC NOR量產 英特爾(Intel)表示，已開始量產65奈米MLC NOR快閃記憶體，包括業界首款手機專用的65奈米1Gb晶片在內，這些產品均採用英特爾StrataFlash Cellular Memory (M18)架構，且相容於英特爾量產型90奈米快閃晶片，確保手機原廠代工製造商(OEM)能輕易地轉移至新元件。 |
| 2006-06-19 | 英特爾90奈米StrataFlash行動NOR快閃記憶體揭密 英特爾90奈米StrataFlash行動NOR快閃記憶體揭密 |
| 2006-06-12 | 鎖定嵌入型市場 Intel擴充NOR Flash產品線 英特爾(Intel)宣佈將針對市場規模達數十億美元的嵌入型元件市場，擴展NOR快閃記憶體產品陣容，計畫推出3伏特(3V)版本的Intel StrataFlash嵌入型記憶體架構。該公司並同時宣佈將進軍快速成長的序列快閃市場，推出首款Serial Peripheral Interface (SPI)產品。 |
| 2005-11-21 | 英特爾針推出90奈米MLC NOR快閃記憶體 英特爾(Intel)宣佈開始量產供應業界一款90奈米多層單元(Multi-Level Cell，MLC) NOR快閃記憶體Intel StrataFlash Cellular Memory (M18)元件，它可提供較先前130奈米版本元件更快的效能、更高的密度，以及更低的耗電量，以滿足具有相機、彩色螢幕、Web瀏覽與影片播放等多功能手機的需求。 |
| 2005-08-30 | Ironwood高性能10GHz晶片插座適合間距0.75mm的IC Ironwood Electronics公司推出新款高性能環氧安裝10GHz頻寬晶片插座──SG-BGA-7064，適用於接腳間距為0.75mm、尺寸為7.286×10.85mm的IC，包括0.75mm間距6×8陣列VF BGA封裝的Intel StrataFlash記憶體。此專利ZIF晶片插座的安裝採用四週環氧樹脂帶黏合。該產品接觸器壽命大於100次，且易於更換。 |
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