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| 2012-05-24 | 三星提出全新三端元件-石墨烯「勢壘電晶體」 來自三星先進技術研究院(Samsung Advanced Institute of Technology)的一個研究小組稍早前提出全新的三端元件，能夠克服之前將石墨烯整合到電路中的問題。「 Barristor 」一詞來源於“可變勢壘電晶體(variable barrier transistor)”。 |
| 2012-02-23 | 擴展代工業務 英特爾搶Tabula 22nm訂單 可編程邏輯新創公司Tabula日前證實，英特爾公司(Intel)將以其3D三閘電晶體(3D tri-gate transistor)技術，為Tabula公司製造22奈米的新一代3PLD產品。業界分析師認為，此舉象徵英特爾公司意欲擴展其代工製造業務，挑戰一向由台積電(TSMC)所主導的晶圓代工領域。 |
| 2010-05-18 | 電晶體雷射技術將改寫電子學教科書 發明電晶體雷射(transistor-laser，TL)──即一種同時具備光學與電氣輸出的電晶體──的工程師表示，這種元件非常適合半導體轉向整合光學的趨勢；但他們也指出，若是真的開始在電路中採用TL，目前的電子學教科書恐怕都得改寫。 |
| 2009-04-22 | 英國研究人員開發出號稱尺寸最小的鑽石電晶體 來自英國Glasgow大學的研究人員宣佈研發出有史以來最小的鑽石電晶體(diamond transistor)，其閘長度(gate lengths)只有50奈米(nm)。 |
| 2008-05-27 | LCD不一定是方的？ NEC設計不規則形顯示器 NEC近日宣佈開發出一種更具靈活性的TFT LCD (thin-film transistor crystal displays)設計方法；該原型機是一款“心形(heart-shaped)”的低溫多晶矽(LTPS)彩色TFT LCD模組，包含兩個半圓弧邊(half-circular arc)和兩條直角線(straight line)。 |
| 2007-12-18 | 可在室溫製造 新研發碳電晶體速度超越非晶矽 能在室溫下處理半導體的技術，將使諸如電子佈告欄(electronic billboards)這樣的大規模應用，以及可拋棄式的RFID標籤這樣的超低成本應用成為可能。美國喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)的研究人員聲稱，已透過利用碳60薄膜──也就是巴克球(buckyballs)或富勒烯(fullerenes)──來製造電晶體(transistor)的通道(channel)，找到了一種可產生比非晶矽(amorphous)速度快100倍的室溫電晶體製造方法。 |
| 2007-12-10 | 見證電子產業誕生成長 六十歲電晶體寶刀未老 60年前的十一月，美國貝爾實驗室(Bell Labs)的科學家們展示了20世紀最重要的發明──第一顆真正的電晶體(transistor)。 |
| 2007-11-30 | 美國業者研發可實現高速電晶體的新式印刷製程 一種用於印刷可撓性金屬薄片基板(foil substrates)電路的矽墨水(silicon ink)最近問世；研發該產品的美國業者Kovio表示，這種能應用於薄膜電晶體(thin-film transistor，TFT)的環保矽墨水能實現多晶矽電晶體的性能，不過價格只有三分之一。 |
| 2007-11-28 | 瑞昱採用Cadence解決方案縮短通訊SoC晶片設計 瑞昱半導體(Realtek Semiconductor)宣佈採用益華電腦(Cadence)的Virtuoso Transistor-Level至全晶片混合訊號驗證解決方案，縮短通訊領域SoC晶片的設計週期時間。 |
| 2007-09-17 | Leaptronix邏輯分析儀提供A/D訊號轉換解析功能 Leaptronix針對ADC混合訊號的量測發表獨立可攜式邏輯分析儀，可看到完整的訊號時序；搭配數位儲存示波器就可監控數位與類比訊號，並讓工程師同時看到多個類比與數位波形的顯示，建立類比與數位訊號的關聯性，在除錯的過程中迅速找出問題點。藉由Leaptronix獨立可攜式邏輯分析儀Trigger Out發送外部觸發訊號觸發DSO，可快速得知量測結果是否與之相符。 |
| 2007-07-10 | 「細胞電晶體介面」將開啟生物電子新時代 德國慕尼黑Max Planck研究所的研究人員已經開發了一種細胞電晶體(Cell-transistor)介面，他們認為此舉將開創生物電子(bioelectronics)的新時代，能在不破壞細胞的狀況下，對它進行控制和研究。 |
| 2007-07-04 | NJR推出J-FET輸入運算放大器NJM2749/2749A 新日本無線(NJR)已開始提供雙通道J-FET輸入運算放大器NJM2749/2749A的樣品。NJM2749/2749A是透過採用J-FET (Junction Field-Effect Transistor，結型場效應電晶體)作為輸入端，實現了低輸入偏置電流50pA typ.、高輸入阻抗和高轉換率13V/μs。 |
| 2007-04-13 | 凌華高密度PCI介面資料擷取卡PCI-7443/4上市 凌華科技(ADLINK)推出高密度160通道數位輸出入PCI介面資料擷取卡PCI-7443與PCI-7444，該系列提供128通道數位隔離輸出入通道，以及32通道的Transistor-Transistor Logic (TTL) I/O，高可靠度的數位控制，可整合大量數位通道需求的應用，特別適用於半導體設備之工業開關控制、繼電器、感測器、實驗室控制、大型測試量測設備等。 |
| 2007-03-14 | 新一代統計工具鎖定類比、客製化IC設計應用 旨在協助類比和客製化IC設計工程師因應製程技術變化，新創公司Solido Design Automation推出一種針對電晶體級統計設計(transistor-level statistical design)和驗證的獨家技術。該公司表示，透過其附加性能，可將蒙地卡羅分析(Monte Carlo analysis)方法推升到“下一個水準”。 |
| 2007-01-08 | 採用懸浮閘技術的新式MEMS記憶體問世 意法半導體(ST Microelectronic)研究人員與瑞典Ecole Polytechnique Federale de Lausanne的微奈米電子元件實驗室(Micro and Nanoelectronic Devices)的夥伴們，發表了一種單電晶體記憶體單元(one-transistor memory cell)設計，將懸浮閘MOSFET (suspended gate MOSFET)與微機電閘電極(microelectromechanical gate electrode)整合。 |
| 2006-12-07 | Infineon宣佈取得多重閘極場效電晶體技術突破 英飛凌科技(Infineon Technologies)發表多重閘極場效電晶體(Multi-gate field-effect transistor)技術，在未來是面對眾多挑戰的解決方法之一。在面積小又需要眾多功能的積體電路上，比今日的平面單閘極技術(Planar single-gate)所消耗的功率要小很多。 |
| 2006-11-01 | 三星DRAM技術正式邁向50奈米 三星電子(Samsung)開發出一款基於三維電晶體設計和多層介質技術的50奈米1G DDR2 DRAM晶片。這種晶片採用了選擇性磊晶生長電晶體(selective epitaxial growth transistor，SEG Tr)，可產生一種更寬的電子通道，因而加速電子流動。 |
| 2006-11-01 | 低成本+高整合 EDA工具亟待創新 Frost&Sullivan公司一份最新的研究分析報告指出，整個電子產業的發展依賴於EDA工具的效率和創新，而隨著IC持續從微米級縮小到奈米級的過程，這一點正變得日益重要。 |
| 2006-11-01 | 安森美擴增低飽和電壓BJT產品線 安森美半導體(ON Semiconductor)宣佈擴增低Vce(sat)飽和電壓雙極接面電晶體(Bipolar Junction Transistor；BJT)產品線，推出整合先進矽晶技術並採用多種封裝選擇的新元件，同時擁有比傳統BJT與平面式MOSFET更佳的電源效率效益與更長的電池使用時間，相當適合各種可攜式應用。 |
| 2006-10-26 | 五大主流線性穩壓器優缺點及應用領域分析 每種線性穩壓器都各自有其優缺點，最終必須由設計師確定某種類型的穩壓器是否適合。電壓差和接地電流值主要由線性穩壓器的旁路元件確定，在確定電壓差和接地電流值後就可確定穩壓器適用的設備類型。 |
| 2006-08-21 | 電晶體微縮遭遇製程變異性挑戰 幾年前，英特爾共同創辦人之一的戈登•摩爾(Gordon Moore)在評估微縮電晶體將面臨的挑戰時，曾提及這“是難以甚至不可能實現的。”摩爾確實說到了重點。事實上，雖然並非不可能，但CMOS製程微縮節點的過程充滿了艱辛和曲折。 |
| 2006-08-09 | 美國產研合作 研發奈米碳管軟性電子技術 奈米技術研究公司Arrowhead Research，宣佈將贊助一項由美國佛羅里達大學(the University of Florida)物理系教授Andrew Rinzler進行的奈米碳管電晶體(carbon nanotube transistor)研究。此項合作是為了進一步發展該大學的軟性電子元件(flexible electronic devices)研究。 |
| 2006-08-04 | 擺脫併購宿命 EDA新創公司積極尋求獨立 兩家類比/混合訊號設計自動化新創公司正在追求多數前一代新創EDA公司所逃避的目標：設立獨立自主且不會被重組或收購的公司。 |
| 2006-06-19 | 因應電源閘控的艱鉅挑戰 為降低功率需求而切斷IC中一個區域或子模組的架構概念對邏輯設計師來說表面上非常合理且直截了當。然而，在實際設計中實現電源閘控(power gating)卻是一個非常艱鉅的挑戰。 |
| 2006-06-19 | RFMD推出GaN高功率電晶體系列產品 RFMD發表其Gallium Nitride (GaN)高電子移動率電晶體(High Electron Mobility Transistor，HEMT)高功率電晶體產品系列，並宣佈已提供樣品予多家手機廠商及WiMAX基地台客戶。新產品為RFMD 0.5um GaN高功率電晶體系列成員。 |
| 2006-06-01 | 液態矽材料實現綠色環保元件的未來 愛普生公司已經開發了液態矽材料並通過旋轉-塗層製程形成了矽薄膜和電晶體, 該材料是與JSR公司共同開發的環戊烯矽烷(cyclopentasilane, CPS)，一種氫和矽的矽烷化合物。 |
| 2006-05-10 | 採用65奈米製程的新一代FPGA將於下半年問世 美商賽靈思(Xilinx)主力FPGA產品Virtex-4系列的地位預計很快將被採用65nm而非90nm設計規則的產品所取代。其新一代的FPGA預備在今年下半年發佈樣品。 |
| 2006-04-26 | IC Insights：功率電晶體市場明年再創新高 市調公司IC Insights的分析師Rob Lineback日前指出，消費電子設備的低電壓執行、電池壽命延長和能源保護之需求等，將推動功率電晶體(power transistor)市場在2007年創下新的記錄。 |
| 2006-04-15 | IBM以Power6微處理器為頻率地位正名 在多執行緒、多核心的時代，頻率是否無關緊要？五年前，當英特爾宣佈其有關架構的思維將產生轉變時，似乎就給予了肯定的答覆。然而，IBM卻在採用Power微處理器的系列伺服器中，展現透過頻率增加可以改善性能的實力。 |
| 2006-04-10 | IBM研發出奈米碳管晶片 IBM日前表示將在奈米碳管(carbon nanotube)上開發整合一片積體電路的元件。據稱此一技術可望加速下一代晶片產品的問世。根據最近發行的《Science》期刊報導指出，IBM研製了五級環型振盪器(five-stage ring oscillator)，由12個並排的場效應電晶體(field-effect transistor，FET)組成，沿著單個奈米碳管的長度排列。 |
