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  [ 2008年5月17日 ]
 
應用技術專刊
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2008年03年25日

主編致詞
隨著手持式設備越來越複雜,它們的能力和功能將變得更像PC或筆記型電腦。這些設備在許多情況下也可以執行Windows作業系統的行動版本,使用色彩更豐富的大螢幕高解析度顯示器、高速連接、大量非揮發性記憶體和QWERTY鍵盤。這些手持式設備的新功能之一是驅動外部監控顯示器、投影儀或電視的能力。預計2010年,所有智慧電話中40%以上將具有實際的電視輸出功能。

採用Power-SPM™模組的電源供應器符合ENERGY STAR®要求
Power-SPM™ FPP06R001是高度整合的同步整流器模組,可在電源供應器設計中協助提高電源效率、增強系統穩健性並節省空間。FPP06R001在精巧的轉模(transfer-molded)封裝中整合2個PowerTrench MOSFET和1個大電流閘極驅動器,能夠簡化電路板設計,節省多達10個外部元件,並減少電路板佔用空間達20%。

新聞和趨勢

混合微控制器與類比應用時對電源、接地和雜訊的處理
除了微控制器(MCU)數位電路之外,微控制器的應用一般還會搭配小訊號感測訊號和適當的電源驅動電路。要使這三個極端的電路設計‘和平共處’,就需要精密的電源和接地設計。本文除將討論雜訊來源和雜訊的傳播路徑、良好設計背景的理論及其對雜訊的影響;也將探究雜訊隔離和適當元件的選用和設計方法,對迫切需要良好雜訊控管的設計者具有高度參考價值。

Digi-Key開始經銷Cree碳化矽RF電晶體
電子元件經銷商Digi-Key與寬頻隙電晶體/射頻IC (RFIC)供應商Cree宣佈,Cree的碳化矽(SiC) MESFET可由Digi-Key出貨。Cree的10瓦CRF24010及60瓦CRF24060為非內部匹配的SiC RF電晶體,能支援極寬的操作頻寬。相較於矽晶或砷化鎵,SiC擁有的優點包括更高的崩潰電壓、更高飽和電子漂移速率及更高熱傳導性。SiC MESFET提供更高效率、更高的電源密度及更廣的頻寬。

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產品新知

新型MOSFET可將QG降低50%
Fairchild Semiconductor推出一款40V P通道PowerTrench MOSFET產品FDD4141,據稱可將開關損耗減少達一半,為功率工程師提供了快速開關的解決方案。FDD4141具有低導通阻抗(RDS(ON)),與目前的MOSFET相較,能降低50%的柵極電荷(QG),讓可攜式、運算、消費和家庭娛樂產品中的非同步降壓、電池充電和轉換器開關能以更高的速度切換,而不會產生過多熱量。

Vishay的IGBT具備75~200A高額定電流
Vishay Intertechnology推出採用標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT),新系列元件包含八個600V及1,200V的元件組成,可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率,採無鉛製程,並具有低EMI,可減少緩衝,並可提供超低的結到外殼熱阻。該系列元件專為高頻工業焊接、UPS、SMPS、太陽能轉換器及馬達驅動應用中的隔離與非隔離轉換器、開關而進行了最佳化。

技術文庫

在手持裝置中實現LCD和電視訊號同時輸出
手持式設備正變得越來越先進,比以往任何時候都能處理更多的多媒體應用。過去的行動應用只能在高階可攜式個人電腦(PC)上執行,而現在可以輕鬆地在個人數位助理(PDA)設備或智慧電話設備上執行。顯然,手持產品正在匯聚各種能力,使行動電話、PDA、數位相機(DSC)、相機和音訊/視訊個人媒體播放器(PMP)之間的界限越來越模糊。

滿足能源之星的視訊轉換盒供電系統設計方案
與非同步線路相比,同步線路比最大的損耗減少源於MOSFET的導通壓降損耗取代了蕭特基二極體的導通損耗。在次級側控制的隔離開關電源同步整流拓樸中,透過從變壓器次級輸出獲得有關控制訊號來作為同步整流的觸發訊號,在不連續導通模式(DCM)狀態下,控制次級的同步整流MOSFET的工作,而進行同步整流作業。

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線上研討會
˙ 基架的訊號調節技術線上研討會 (2008-05-28)
˙ 高速、高增益的去補償放大器 (2008-06-04)

精彩研討會重播
˙ GHz取樣系統設計的挑戰
˙ 高性能FPGA供電方案設計技術
˙ 零NRE費用結構化ASIC解決方案
˙ Amplifier and ADC Performance Optimization (英文)

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