| 2008-05-23 |
Hynix中國DRAM廠發生停電意外 對市場影響有限
根據業界消息，韓國記憶體業者Hynix位於中國的12吋晶圓廠發生了停電的狀況，並使該公司的DRAM生產線中斷。據了解，該座位於無錫的工廠產能幾乎 佔Hynix所有DRAM產能的一半，而停電事件可能將造成該公司1,600~1,800萬美元的損失 |
| 2008-05-20 |
揭密DRAM設計：8F2與6F2架構比較
隨著DRAM價格的持續下跌以及大部份製造商們歷經著財務困難，唯有創新並積極地推動製程微縮才能確保公司的成功。由於DRAM元件的製程縮微主要針對的是DRAM單元，因而陣列架構在決定晶片大小方面扮演著最具關鍵性的角色。 |
| 2008-04-28 |
鎖定新一代DRAM研發 Qimonda與Elpida聯手
奇夢達(Qimonda)與爾必達(Elpida)日前簽定共同開發技術合作意向書，將聯手開發新一代的記憶體晶片(DRAM)。在此項合作計畫，奇夢達將提供其Buried Wordline的關鍵技術，爾必達則將提供其堆疊技術。 |
| 2008-04-15 |
Numonyx計劃委託Hynix與茂德生產DRAM
新成立的記憶體供應商Numonyx日前表示，計劃把其DRAM生產從現有供應商轉移給海力士(Hynix Semiconductor)和茂德(ProMOS Technologies)。 |
| 2008-04-14 |
Hynix宣佈歐盟已撤銷對其DRAM徵收平衡稅
海力士半導體(Hynix Semiconductor)於四月初發表聲明指出，歐盟委員會已撤銷對於從韓國進口該公司生產的DRAM，需徵收平衡稅(countervailing duties)的決定。 |
| 2008-04-03 |
採Rambus XDR架構DRAM出貨量逾五千萬
高速晶片設計技術授權公司Rambus，日前宣佈其XDR DRAM元件全球出貨量，已達5,000萬顆。 |
| 2008-03-07 |
南亞科與Micron簽署DRAM技術合作意向書
記憶體業者美光科技(Micron Technology)與南亞科技(Nanya，簡稱南科)，日前共同宣佈雙方已簽署合作意向書(Memorandum of Understanding，MOU)，有意願進行技術合作、共同研發及建立合資公司，發展50奈米以下的DRAM技術及產品設計。 |
| 2008-02-21 |
新一代DDR3需求浮現 DRAM製造商競推SDRAM新產品
美光科技、三星半導體、海力士半導體和奇夢達(Qimonda)等公司均為即將出現的需求浪潮作準備，推出1Gb DDR3 SDRAM產品，其中有些已經開始量產。美光公司更先行一步地發佈了一款2Gb的DDR3 SDRAM。 |
| 2008-02-11 |
DRAM出貨增加 力晶1月份營收成長25.6%
力晶半導體(Powerchip Semiconducto)日前公佈2008年1月份內部自行結算之營收報告，營收數字達54.42億台幣，較上個月份成長了25.6%。力晶副總經理暨 發言人譚仲民表示，儘管標準型DRAM現貨價仍呈低迷，但一月出貨較上月顯著增加，帶動營收成長25.6%。 |
| 2008-02-05 |
受DRAM拖累 華邦07年營收小幅下滑
華邦電子(Winbond)日前公佈2007年第四季的營收為新台幣68億2,000萬元；累計2007年全年總營收為新台幣321億400萬元，較 2006年之344億8,800萬元下滑約6.9%。華邦表示，受到DRAM市場供需失衡的影響，產品價格大幅滑落，抑制了整體半導體市場景氣的發展，在 全球DRAM市場價格不振的衝擊下，造成公司整體獲利表現呈現虧損。 |
| 2008-01-22 |
Qimonda開始供應512Mb XDR DRAM樣品
奇夢達(Qimonda)宣佈已開始向客戶供應首款512Mb XDR DRAM的樣品。XDR (Extreme Data Rate)記憶體解決方案擴展了奇夢達的繪圖RAM產品組合，以針對全球成長快速的電腦和消費性電子市場，提供更佳的高效能、高頻寬應用。 |
| 2008-01-10 |
耶誕假期市況佳 １月DRAM合約價止跌
跟據記憶體市場研究機構集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的一月份上旬合約價報告，DDR2 667 1GB記憶體模組均價約落在17美元左右，出現了近半年來少見的止跌狀況。 |
| 2008-01-03 |
NEC發表40奈米DRAM混載系統LSI製程技術
NEC電子日前完成開發2種線寬40奈米的DRAM混載系統LSI製程技術，使用該製程可以生產最大可整合256Mb DRAM的系統LSI。此次NEC電子推出一種低功耗的UX8GD製程，可使邏輯部份的處理速度最快達800MHz；另一種為低漏電流的UX8LD製程， 它的功耗約為內嵌同等容量SRAM的1/3左右。 |
| 2007-12-10 |
廠商大砍資本支出 08年DRAM市況恐持續惡化
市場研究機構Friedman Billings Ramsey (FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示：「根據三星(Samsung)日前公佈的財報，我們分析2008年上半年DRAM記憶體市場基礎將繼續惡化，大多數DRAM供 應商，尤其韓國之外的廠商2008年資本支出將大幅縮減。」 |
| 2007-12-10 |
Dow Corning與日商合推之新型光阻將用於簡化DRAM製程
Dow Corning與東京應用化學(Tokyo Ohka Kogyo)共同宣佈其合作開發的新型雙層光阻已獲得一家DRAM晶片製造商採用，將用來量產記憶體晶片。 |
| 2007-11-27 |
Hynix發表高效率1Gb GDDR5繪圖DRAM
海力士半導體(Hynix Semiconductor)宣佈推出1Gb GDDR5繪圖DRAM，工作頻寬為5Gbps，32位元I/O通道，數據處理速率20GB/s，適合高畫質視訊、影像處理應用。 |
| 2007-11-14 |
Hynix第三季DRAM營收亮眼 市佔直逼Samsung
集邦科技(DRAMeXchange)日前發表最新DRAM市場調查報告顯示，2007年第三季全球DRAM自有品牌銷售額較第二季成長3.6%。主要來 自第三季的位元成長率9%，而DRAM ASP漲跌幅度依各家產品組合不同。第三季DDR2合約價呈微幅上漲，但現貨價則下跌約9%。 |
| 2007-11-02 |
DRAM市場露曙光 集邦預估08年需求成長40%
根據集邦科技(DRAMeXchange)日前發表的記憶體市場調查報告顯示，10月22~29日現貨市場eTT顆粒價格短期反彈至高點後開始拉回， DDR2 512Mb eTT收在1.05美元，跌幅約10.2%；而品牌顆粒並未受影響，跌幅僅有5.8%。 |
| 2007-10-31 |
IMEC擴展32奈米研究 納入DRAM MIMCAP技術
比利時研究組織IMEC已擴展其32奈米CMOS元件微縮(scaling)研究工作的範圍，納入了一個關於DRAM MIMCAP(金屬-絕緣體-金屬電容器)製程技術的研究計畫。IMEC表示，這將使它以及32奈米計劃中的許多夥伴能夠解決未來節點上DRAM MIMCAP對於材料和整合的要求。 |
| 2007-10-24 |
聯電與Elpida將共同研發低介電質銅導線DRAM及PRAM
聯華電子(UMC)與Elpida共同宣佈將合作研發具有低介電質銅導線的先進DRAM與PRAM (相位變化隨機存取記憶體)。聯華電子將許可Elpida使用聯華電子的低介電質銅導線製程，而Elpida也許可聯華電子使用其DRAM作為聯華電子先 進系統單晶片解決方案的一部份。 |
| 2007-10-23 |
供過於求？ DRAM市場依舊生氣勃勃
目前DRAM廠產能已明顯超越OEM的需求。但這是否意味著2007年下半年會出現嚴重的供過於求現象呢？從目前的市場動態來看，很難給出答案。 |
| 2007-10-19 |
Rambus推出DDR3 DRAM記憶體控制器介面解決方案
Rambus推出為業界標準DDR3 DRAM所設計之記憶體控制器介面解決方案，為完全整合的硬體巨集功能晶片單元(hard macro cell)，提供控制器邏輯與DDR3或DDR2 DRAM 裝置之間之實體層(PHY)介面，資料傳輸率最高可達1600MHz。 |
| 2007-10-16 |
快閃記憶體產能可望在2008年首次超越DRAM
市場研究公司Strategic Marketing Associates (SMA)預測，快閃記憶體產能將在2008年首次超越DRAM記憶體。根據SMA報告，快閃記憶體產能從2000年以來已經成長了四倍，達到相當於 290萬片8吋矽晶圓的規模，相較之下DRAM產能自那時起僅成長225%。 |
| 2007-09-07 |
JEDEC討論DRAM標準 非揮發性記憶體成台下主角
JEDEC標準組織日前在德國慕尼黑舉行的會議上，討論了有關改善一系列記憶體相關標準的問題；此外為在業界推廣快閃記憶體硬碟的應用，該組織並宣佈成立了新的固態硬碟委員會(Solid State Disk Committee)。 |
| 2007-09-06 |
DRAM現貨市場需求不振 合約價下修壓力沉重
集邦科技(DRAMeXchange)發表最新記憶體市場報告指出，上週DRAM現貨市場仍無出現明顯需求，除了8月27日開盤時仍延續之前的漲勢， DDR2 512Mb 64M×8 eTT最高來到1.80美元，其他時間皆在1.50~1.60美元間盤桓。 |
| 2007-09-06 |
華邦於杭州電子博覽會展出低功耗DRAM及虛擬SRAM
華邦電子(Winbond Electronics)將於2007年9月初於中國杭州電子信息博覽會中展出兩系列行動記憶體產品──低功耗動態記憶體(Mobile Memory)及虛擬靜態記憶體。 |
| 2007-09-04 |
好景不長 iSuppli 預測DRAM市況將再次惡化
DRAM供應商的好日子又過完了？！根據市場研究機構iSuppli的預測，在經歷短暫的喘息之後，DRAM記憶體廠商的市場狀況從九月份起將再次變得惡 劣。該公司之前預期，自去年十月開始跌價的DRAM，終於在今年第二季開始反彈，且可望在2007年有1.97%的成長。 |
| 2007-08-27 |
IC Insights：DRAM市場發展趨勢逐漸樂觀
根據市場研究公司IC Insights的預測，儘管仍可能遭遇短期的低迷，飽受價格下跌以及產能過剩所苦、在2007上半年仍呈現衰退的DRAM產業可望在下半年重拾謹慎樂觀的氣氛。 |
| 2007-08-20 |
亞太區DRAM競爭激烈 韓國主導地位岌岌可危
未來三年內，韓國DRAM公司很有可能喪失在產量方面的領先地位，市場研究公司iSuppli總裁兼執行長Derek Lidow指出。不過，他同時表示，韓國製造商不會喪失品牌優勢，因為台灣地區及中國大陸的產品大多是以其它公司品牌(如Qimonda和Elpida) 出售的貼牌產品。 |
| 2007-08-16 |
集邦：廠商出清庫存 DRAM現貨市場價格下跌
根據集邦科技(DRAMeXchange)所發表的最新記憶體市場報告指出，上週DRAM現貨報價受到三星停電事件影響而短暫走高，但後續追價力道不強，使得部份庫存水位較高的通路商反手殺出手中的庫存。 |
| 2007-07-31 |
DRAMeXchange發表第二季DRAM廠銷售排名
記憶體市場研究機構集邦科技(DRAMeXchange)發表第二季DRAM廠銷售額排名調查，該機構指出，2007年第二季(Q207)全球DRAM品 牌廠商銷售額較去年第一季下滑24.4%。此外，受到Q207 DDR2 512Mb價格相較今年第一季大幅度下跌40%以上影響，Q207全球DRAM產業的產值大幅下降。 |
| 2007-07-06 |
華邦與奇夢達簽訂75/58奈米DRAM製程技轉協議
華邦電子(Winbond)6月27日宣佈與德國奇夢達(Qimonda)簽訂75奈米與58奈米溝槽式DRAM製程技術移轉及產能合作協議。 |
| 2007-07-05 |
奇夢達推動GDDR5為下一個主流繪圖DRAM標準
就在GDDR4市場還在起步之際，奇夢達公司(Qimonda)就已決定跳過此一標準，直接推動GDDR5成為下一代的繪圖記憶體標準，而其產品將於明年初量產上市。 |
| 2007-06-06 |
NEC成功開發在玻璃基板上整合DRAM的顯示器
NEC與旗下的NEC LCD Technologies，合作開發了在基板上整合230Kb DRAM頁框記憶體(frame memory)、顯示器電晶體和週邊電路的板上系統(system-on-glass)顯示器。NEC的工程師表示，他們計劃在玻璃基板上整合所有顯示器 電路。 |
| 2007-05-29 |
DRAM造成當機？ 微軟建議PC製造商採用ECC記憶體
根據微軟(Microsoft)內部一份不公開的白皮書指出，桌上型和筆記型電腦可能需要採用錯誤修正程式碼(error-correcting code，ECC)記憶體，以解決單位元(single-bit)記憶體錯誤這樣的日益增加的系統當機問題。 |
| 2007-05-25 |
目標百億美元市場 Spansion視DRAM為頭號對手
受市場激烈競爭與產品價格壓力之負面影響，已連續10季虧損的NOR快閃記憶體供應商Spansion，將其目光瞄準了規模達300億美元的DRAM市場 ──該公司計劃把它專有的MirrorBit技術定位為DRAM的競爭者，拓展在高階手機、PDA和手機等領域的應用。 |
| 2007-04-30 |
半導體市場潮起潮落 DRAM/NAND仍穩定成長
據Gartner Dataquest預計，2007年全球半導體市場將呈緩慢成長的態勢。儘管庫存水準將在短期內獲得改善，但展望整體市場成長態勢，終端市場對半導體的需 求量卻正在削弱，特別是在關鍵的PC和手機領域。半導體的供給方市場仍處於調節狀態，供應商並不急於進行大規模投資，同樣地，今年的資本支出預期也將減 緩。 |
| 2007-04-27 |
節省資料中心功耗 Micron低功耗DRAM產品問世
美光(Micron)推出最新Aspen Memory系列的節能產品，它是一款能以RCC (reduced chip count)記憶體模組型式供貨的低電壓DDR2 DRAM晶片，專門用來降低伺服器功耗。 |
| 2007-04-26 |
FormFactor發表DRAM晶圓探針卡PH150XP
FormFactor發表PH150XP晶圓探針卡，擴展其PH150系列DRAM晶圓測試產品的陣容。PH150XP探針卡提供多項良率與處理量提升的 功能，讓DRAM製造商能進一步降低整體測試成本。PH150XP探針卡樣本已開始供應予各大記憶體領導製造商進行評估測試。 |
| 2007-03-27 |
Micron針對高階多媒體手機推出1Gb行動DRAM
美光(Micron)針對擁有多媒體和運算功能的高階行動電話，推出了新型1Gb行動DRAM記憶體晶片。該公司並將把新型1Gb行動DRAM記憶體晶片 和1、2、4Gb NAND快閃記憶體晶片透過多晶片封裝(MCP)結合，構成強大的記憶體組合。 |
| 2007-03-12 |
DRAM製造商切入CMOS感測器領域
茂德(ProMOS)公司進軍CMOS影像感測器領域的行動，將使其得以有效利用原有產能，以及來自行動電話業務日益成長的需求。這家記憶體製造商已經在矽谷的一家新興公司投資了1,000萬美元，最初將瞄準用於手機的低密度感測器。 |
| 2007-03-08 |
台積電宣佈成功為客戶產出65奈米嵌入式DRAM
晶圓代工大廠台積電(TSMC)宣佈，已成功為客戶產出65奈米嵌入式動態隨機存取記憶體(embedded DRAM)客戶產品，此一產品的DRAM容量達數百萬位元級，並且首批產出晶片就通過功能驗證。 |
| 2007-03-08 |
集邦：DRAM跌10% NAND現貨價反彈上揚
集邦科技(DRAMeXchange)針對記憶體市場發表最新報告指出，上週為中國農曆年假期後第一週，年假後的補貨以DDR為主，DDR2的需求較弱。 雖然成交量並不大，但DDR 256Mb eTT之價格仍微幅上漲2.3%至1.79美元，DDR 512Mb 400MHz則上漲3.2%至3.86美元。 |
| 2007-02-23 |
DRAM市場出現崩盤現象？
由於DRAM平均銷售價格(ASP)在今年初出現了30%的下跌，全球DRAM市場已出現崩盤現象──至少短時間看來是如此。台灣記憶體供應商力晶半導體 (Powerchip)總經理謝再居(Brian Shieh)表示，2007年全年預計DRAM價格下跌31.3%，但1月迄今ASP的下跌幅度已經達到這個預期水準。 |
| 2007-02-07 |
2006年DRAM廠排行榜 Elpida、Hynix表現佳
根據市場研究公司iSuppli的初步排名，2006年第四季以及全年，韓國三星(Samsung)仍然是全球最大的DRAM供應商，而Elpida和 Hynix則成為2006年DRAM產業界的耀眼明星。其中Hynix並超越了奇夢達(Qimonda)，在2006年第四季和全年的排名均升至第二 |
| 2007-02-02 |
集邦：2006年Q4品牌DRAM廠商銷售成長16.2%
根據集邦科技(DRAMeXchange)調查，2006年第四季全球DRAM品牌廠商銷售額較第三季成長16.2%。第四季DRAM合約市場仍供給吃 緊，主流規格的DDR2合約價格上揚帶動銷售額成長。以各區域的DRAM品牌廠商銷售額排名來看，韓系廠商市佔率達44.6%，位居全球主導地位。其次為 台系廠商市佔率17.8%，較第三季的19.5%下滑。 |
| 2007-01-25 |
集邦：奈米製程壓低成本 DRAM廠商獲利穩定
根據集邦科技(DRAMeXchange)針對DRAM市場所發表的最新報告指出，因市場需求不振，使得DDR2現貨價格大幅度下跌。至於一月下旬 DDR2合約價格由於部分DRAM廠商與PC OEM廠商價格談判改為一個月一次，因此跌幅仍在3%以內，預期2月以後會有較明顯的跌幅。然而90nm製程使得DDR2成本在3美元以下，DRAM廠商 仍維持穩定的獲利。 |
| 2007-01-17 |
美光就DRAM價格操縱案與直接購買者達成和解協議
記憶體晶片生產商美光(Micron)日前表示，已經與某些DRAM產品的部份直接購買者達成和解協議。此舉將令其在12月21日公佈的2007會計年度第一季財報獲利減少最多達8,000萬美元。 |
| 2007-01-08 |
Elpida 70奈米DRAM鎖定高階影像處理應用
日本記憶體廠商爾必達(Elpida Memory)近日表示，已開始採用70奈米製程技術量產容量為1GB和512MB的DDR2 SDRAM。據悉，這些晶片將主要應用於高階伺服器、HD數位電視、新一代DVD燒錄機、數位相機以及其它其他需要高性能影像處理功能的消費電子產品。 |
| 2007-01-04 |
DRAM測試產業恐在2007下半年出現吃緊狀況
DRAM在2007年業產能將有大幅擴充以及新製程70nm導入的趨勢，為此DRAMeXchange預估，DRAM後段的測試產業有機會在2007下半 年出現產能吃緊的狀況，然而未來日月鴻的產能變化以及Hynix的DDR2測試訂單是否委外，都將牽動產業供需的重要變數。 |
| 2006-12-26 |
又一Samsung高層將因DRAM案入獄
根據業界消息，美國司法部對2001年至2002年間的DRAM價格操縱案調查又有新進展，南韓三星電子(Samsung Electronics)的美國子公司Samsung Semiconductor總裁Young Hwan Park已經同意認罪，將入獄服刑10個月並支付25萬美元的罰款。 |
| 2006-12-21 |
押注Vista 台灣DRAM廠商明年能否財源廣進？
台灣是多家全球性二線DRAM供應商的集中地，這些廠商看好2007年將是記憶體市場發展強勁的一年，且不斷發表規模達數十億美元的擴張產能投資。但明年市場銷售情況能否達到他們的期望呢？ |
| 2006-12-19 |
成長趨緩 Gartner指DRAM產業榮景已近尾聲
市場研究公司Gartner表示，處於巔峰狀態的DRAM市場榮景將近尾聲，該市場將在2007年開始發生轉變。Gartner指出，今年全球DRAM市 場的營收比去年成長34%，達到339億美元。而由於2007年前半年DRAM供過於求，預期其成長速度將明顯趨緩。 |
| 2006-12-08 |
力晶與Elpida將合資在台興建全球最大DRAM廠
記憶體大廠力晶半導體(PSC)與日商爾必達(Elpida)共同宣佈，將在台灣中部科學園區設立單月總產能可達24萬片的全球最大12吋晶圓廠區；同 時，雙方也決定共同研發新世代製程技術。透過製造與研發的合作，力晶與爾必達聯盟企圖藉由整合台灣與日本的產業優勢，攜手爭取DRAM市場世界第一的寶 座。 |
| 2006-12-06 |
DRAM市場價穩定 力晶、茂德營收又創新高
台灣記憶體大廠力晶(PSC)與茂德(ProMOS)日前分別發表最新營收報告，兩家公司皆表示十一月營收創新高紀錄。力晶成長主力來自12吋晶圓廠與90奈米製程良率穩定，茂德營收表現同樣得力於90奈米產能穩定成長。 |
| 2006-12-05 |
終端產品需求成長將推動DRAM產業另一高峰
拓墣產業研究所(Topology Research Institute)針對當前DRAM產業發表研究報告指出，目前該產業是由四國五大集團(Samsung、Micron、Hynix、Infineon 與Elpida)所主導，隨著產業的整合改變了以往美、日廠商隨意擴廠的慣性，使得ASP穩定度提高、產業的年成長率更不易出現大起大落。 |
| 2006-11-23 |
美DRAM價格操縱案 Elpida前高層亦認罪
美國司法部日前表示，在其正調查的DRAM價格壟斷案中，日本Elpida的前任高層主管已承認有罪。據美國司法部的聲明，Elpida的前任記憶體業務 副總裁D. James Sogas同意因參與全球共謀操縱價格，將被判入獄服刑6個月和繳納25萬美元罰金。 |
| 2006-11-01 |
三星DRAM技術正式邁向50奈米
三星電子(Samsung)開發出一款基於三維電晶體設計和多層介質技術的50奈米1G DDR2 DRAM晶片。這種晶片採用了選擇性磊晶生長電晶體(selective epitaxial growth transistor，SEG Tr)，可產生一種更寬的電子通道，因而加速電子流動。 |
| 2006-10-24 |
美國再度起訴三名涉及DRAM價格操縱的企業高層
美國司法部近日表示，又有三位DRAM廠商的高層被指控在2001~2002年期間，涉及DRAM價格操縱案。其中有兩位是三星電子(Samsung)的韓國公民，另一位是為海力士(Hynix)旗下美國子公司工作的美國公民。 |
| 2006-10-23 |
華邦推行動裝置用256Mb低功率DRAM
瞄準行動裝置應用，華邦(Winbond)新推出容量為256Mb的低功率DRAM──W988D6E與W988D2E，新元件符合JEDEC標準，工作 及輸出入電壓為1.8V，主頻率為133MHz，適合高階智慧型手機(Smart Phone)、中高階數位照相機、全球定位系統(GPS)、MP3播 |
