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東芝計畫在2007年採用55奈米生產快閃記憶體

上網時間: 2004年05月21日  打印版  Bookmark and Share 訂閱  字型大小:  

關鍵字: Toshiba  flash memory  東芝  55奈米  快閃記憶體 

[摘要提示] 東芝(Toshiba)日前提出,計畫在2007年開始採用55奈米製程生產NAND快閃記憶體,該公司表示,預期NAND快閃記憶體市場年成長30%,2007年銷售額將從2003年的35億美元左右成長至110億美元。到2004年第三季,東芝計畫推出一款16Gb NAND快閃記憶體,在一個封裝中容納四個4Gb晶片。東芝表示,根據微影技術發展的路線圖,東芝的200mm工廠將在2005會計年度上半年開......
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