TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示,中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程,目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片,初期規劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品,代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下,將開始進入新的里程碑。

DRAMeXchange研究協理楊文得指出,現階段武漢新芯主要以生產NOR Flash為主,月產能約為2萬片左右,在NAND Flash產業也展現強大的企圖心。不同於國際NAND Flash大廠,武漢新芯選擇與飛索半導體(Spansion)共同合作開發3D-NAND Flash技術,並在去年完成初期晶片電氣測試後,持續往更高的堆疊數邁進,目標2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的產品,切入高成長性的快閃記憶體產業,也透過盡早導入新技術的方式,縮短與現今國際NAND Flash大廠的差距。

武漢新芯規劃的新廠產能為長期20萬片,產能的提升必需要伴隨未來技術開發的成熟,生產的穩定;楊文得表示,20萬片為長期的最終計劃,非短期能達成,比較明顯的產出提升應該在5~10年之後。英特爾(Intel)大連廠自今年第四季加入生產行列的帶動下,來自中國生產的NAND Flash晶圓將佔全球的8%,2017年第三季前可超過10%,顯示中國發展NAND Flash產業的積極度也讓國際大廠加速佈局角度。

目前NAND Flash產業除三星量產3D-NAND Flash,且已在各大PC-OEMs業者中獲得不錯的市佔率,第三代3D-NAND Flash也將完成產品測試階段,可望在2016下半年隨著新款筆記本電腦鋪貨的需求而開始量產。

其他NAND Flash業者也陸續加速3D-NAND Flash的開發,自今年下半年將可開始導入相關固態硬碟的需求應用而出貨。DRAMeXchange預估2016年整體NAND Flash產業的3D-NAND Flash產出比重將可快速攀升至20%,較去年的6%有顯著成長,將可讓相關固態硬碟的普及與滲透率成長更加快速。

![20160331 DRAMeXchange NT21P1](//images.contentful.com/15mr7p4rjmth/5rpCPI07jqiws88eiWA6MY/076c74b95f402aa42d94fb927ca11a71/20160331_DRAMeXchange_NT21P1.jpg)國際NAND大廠比較