根據SEMI的統計,全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片製造設備支出估計將可達到360億美元,較2015年增加1.5%,2017年則可望再成長13%、達到407億美元。

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包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出,在2015年衰退了2%;而SEMI預期,3D NAND快閃記憶體、10奈米邏輯製程以及晶圓代工會是推動2016年與2017年晶圓廠設備支出的主力。SEMI列出了19個有六成以上可能性會按照時程進行的晶圓廠興建案,其中有部分已經開始興建,其他則可能會延遲或是推至接下來幾年。

不過在SEMI負責追蹤晶圓廠建設的分析師Christian Dieseldorff接受EE Times訪問時表示,以歷史紀錄來看,在2016年與2017年有19座晶圓廠開始興建,數量其實偏低:「我們會看到越來越少新晶圓廠,這是因為有更多廠商是會升級或改建現有的廠房。」

以晶圓尺寸來看,那19座晶圓廠(生產線)中有12座是12吋(300mm)、4座是8吋(200mm),還有3座是LED廠,分別是6吋(150mm)、4吋(100mm)與2吋(50mm)。不包括LED廠在內,新晶圓廠(生產線)的安裝產能,估計在2016年開始興建的可達到每月12萬片初始晶圓(12吋約當),2017年開始興建的則可達到每月33萬片初始晶圓(12吋約當)。

下表是SEMI列出的所有2016與2017年新晶圓廠(依尺寸)興建計畫──包括尚未動工以及進行中的;估計總支出金額達到139億美元。 20160620 SEMI NT03P2

編譯:Judith Cheng

(參考原文: China to Dominate Fab Building,by Peter Clarke)