資訊儲存的方法一般分為兩種類型:電能或磁性。然而,如果找到一種材料分別具有電性與磁性的雙穩態特性,就有可能讓相同體積的儲存容量增加一倍。

日本北海道大學(Hokkaido University)研究所的科學家們展示了鍶鈷氧化物(SrCoO x)材料的兩種形式:一種是絕緣非磁體,另一種是金屬磁體。藉由改變電化學氧化/還原的氧含量,就能切換這種材料的磁化狀態。

為此,研究小組開發出一種可在室溫空氣中安全使用鍶鈷氧化物的方法,它不至於讓鹼性溶液洩漏出來。這種方法只要在氧化鍶鈷層上施加鉭鈉薄膜即可。當3V電流施加在絕緣的SrCoO 2.5形式時,即可在3秒內逆向切換至其金屬磁體形式SrCoO 3

研究人員表示,只要讓元件變得更小,就能大幅縮短這種化合物在絕緣體與磁鐵之間切換的時間。

編譯:Susan Hong

(參考原文:Adding magnetics could double storage density,by Peter Clarke)