該放大器擁有19.2dBm的卓越OP1dB (輸出1dB壓縮點)。相較於一般採用GaAs或pHEMT製程的其他增益模組放大器,LTC6433-15具備其獨特之處。這些FET技術具有大約20MHz至30MHz的高1/f雜訊拐角頻率,於是容易出現高的雜訊層上升,而使其在低頻率條件下無法使用。

相反的,LTC6433-15放大器核心採用高頻SiGe雙極型製程,因此,此款放大器呈現更低的1/f雜訊拐角頻率(通常低於10kHz),因而使之可在低頻至100kHz範圍內使用且不會使雜訊上升。此外,GaAs和pHEMT型元件的性能高度依賴於其內部FET偏置電壓,這在各個元件之間會存在巨大的差異。而採用LTC6433-15時情況便可避免此情況,其性能在整個溫度範圍內和元件與元件之間保持穩定,而且不容易受到電源電壓變化的影響。

LTC6433-15的低頻工作能力擴展了其用途,並且提升了眾多放大器應用中的性能,包括電纜網路、寬頻訊號源、雷達接收機 IF 放大器、VHF/UHF廣播電台和RF測試儀器。LTC6433-15為不需DC耦合之放大器應用中的許多運放解決方案提供了絕佳的替代方案。

LTC6433-15輸入和輸出在100kHz至1GHz為50Ω寬頻匹配,並在該頻率範圍內具有1dB平坦度,元件並具有1.4GHz的3dB頻寬。該款放大器只需要一個輸入和輸出DC隔離電容器、以及一個用於偏置其集電極開路輸出的扼流圈和一個用以設定低頻條件下的匹配和增益平坦度之回饋電容。LTC6433-15簡化了寬頻設計並可透過極少的外部元件來實現簡易的級聯。DC2168A評估電路展示了該性能,涵蓋了具平坦增益、低雜訊和領導業界之失真性能的100kHz至1GHz頻段。

LTC6433-15採用單一5V操作電源,所汲取之標稱電源電流為95mA。元件可操作於-40℃至85℃的機箱溫度範圍,採用4mmx4mm塑膠QFN封裝,現可供貨。