Dialog Semiconductor首次發表並展示該公司的氮化鎵(GaN)功率IC產品,此產品採用台積電(TSMC)的650V矽上氮化鎵(GaN-On-Silicon)製程技術。

相較於目前基於標準矽基場效電晶體(FET)的設計,DA8801結合Dialog的專利數位快速充電(Rapid Charge)電源轉換控制器,能實現更佳效率、更小體積、更高功率密度的轉接器。Dialog的氮化鎵解決方案初期將瞄準智慧型手機及運算裝置的快速充電轉接器市場,目前Dialog的電源轉換控制器在這個市場的市佔率已有七成以上。

氮化鎵技術能帶來全世界最快速的電晶體,是高頻及超高效率電源轉換的核心。Dialog的DA8801半橋式設計整合了多建構區塊,例如閘驅動及位準轉換電路,以及650V電源開關,能提供最佳化解決方案,能使電源損失降低至50%,電源效率達94%。此產品能無縫實現氮化鎵技術,不需複雜電路來驅動離散式氮化鎵電源開關。

此一新技術也能讓功率電子產品的尺寸縮減達50%,今日常見的45瓦轉接器設計便可裝進25瓦或更小的外型,創造出真正通用的行動裝置充電器。

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