英飛凌科技(Infineon Technologies)針對現今及未來的準諧振反馳式拓樸趨勢,推出全新700V CoolMOS P7系列。相較於目前所用的超接面技術,全新MOSFET的效能更為出色,適用於軟切換拓墣應用,包括智慧型手機、平板電腦充電器,還有筆記型電腦電源供應器。

此外,新款CoolMOS也支援電視電源供應器、照明、音訊與輔助電源的快速切換及高功率密度設計要求。新產品系列最佳化了外型尺寸,可達成極輕薄設計的目標。

在切換損耗(Eoss)的表現方面,相較於市面上其他品牌產品,新款700V CoolMOS P7技術可將切換損耗減改善幅度由27%提升至 50%。應用於返馳式充電器時,這項技術可提升全機效率多達3.9%,此外,裝置溫度最多可降低16K。與先前的650V C6技術相比,平均效率提升 2.4%,裝置溫度下降12K。

新款產品整合齊納二極體,確保其具備更高的ESD耐受性,最高達到 HBM Class 2 等級。如此一來,可改善組裝產能,進而減少生產相關故障並省下製造成本,最終提升客戶獲利能力。此外,700 V CoolMOS P7 的 RDS(on)*Qg 與 RDS(on)*EOSS 極低,因此耗損相對較低。相較於 C6 技術和其他競爭對手的產品,最新系列還具備額外 50 V 的阻斷電壓。

考量到使用便利性,該項技術在設計上採用3V的VGSth,誤差僅±0.5V,因此能輕易將全新P7系列整合到設計中,並可採用更低的閘極源極電壓,進而更容易驅動且能減少閒置損耗。尤其對於注重價格的市場來說,700V CoolMOS P7擁有吸引人的性價比,能幫助客戶取得更多的競爭優勢。

700V CoolMOS P7系列採用最相近的RDS(on)封裝組合,包括360m到1400m的IPAK SL、DPAK和TO-220FP封裝。英飛凌不久後也將推出該超接面技術 RDS(on) 範圍的其他版本,並搭配創新封裝產品。