意法半導體(STMicroelectronics,ST)最新的900V MDmesh K5超接面MOSFET讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高效的系統需求,其擁有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態特性。

900V崩潰電壓確保在高匯流排電壓系統應用下具有更高的安全係數。新系列產品含有第一個RDS(ON)導通電阻低於100mΩ的900V MOSFET,DPAK產品並提供工規最佳的RDS(ON)阻抗。最低的柵電荷(Qg)特性確保更快的切換速度,在需要寬範圍輸入電壓的應用領域,實現更大的配置靈活性。這些特性讓標準、準諧振電路、主動箝位設計等各種返馳式轉換器具有高效和可靠性,涵蓋範圍低至35W、高至230W的額定功率範圍或最高。此外,低輸入輸出電容(Ciss、Coss)可實現零電壓切換,使半橋LLC諧振轉換器的電能損耗最小化。

新元件的高安全係數和優異的動態特性讓設計人員能夠提高各種產品的性能,例如,伺服器電源、三相交換式電源(SMPS)、LED照明電源、電動汽車(EV)充電器、太陽能板、焊接機、工業設備驅動系統和工廠自動化。

意法半導體MDmesh K5系列超接面電晶體產品種類繁多,包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V額定電壓的產品。再加上靈活的封裝選擇,包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長針腳、IPAK和I2PAK,以及D2PAK和DPAK表面功率封裝,意法半導體的超接面系列為設計人員提供豐富的超高電壓(VHV)MOSFET產品。

最新的900V MDmesh K5 MOSFET即日上市。