三星電子(Samsung Electronics)日前更新其代工技術藍圖,詳細介紹該公司的第二代FD-SOI平台進展、多種塊材矽(bulk silicon) FinFET製程微縮至5nm,以及計劃在2020年推出4nm「後FinFET」結構製程。

三星在上週宣佈拆分其代工業務成為獨立單位,稱為Samsung Foundry,同時重申先前發佈的計劃——在2018年7nm節點時將極紫外光(EUV)微影技術投入生產。

三星代工行銷資深總監Kelvin Low表示:「我們極其積極地經營我們的開發藍圖,不只是作規劃,而且也宣佈未來三到四年內要做的事。」

在該公司於加州舉行的年度代工技術論壇上,三星發佈的重大技術突破是其專有的下一代產品架構,稱為多橋通道場效電晶體(MBCFET)。據稱這種結構是三星自行開發的全包覆式閘極場效電晶體(GAAFET)專有技術,採用奈米薄片元件,克服FinFET架構的實體微縮與性能限制。

三星的開發藍圖計劃在2020年時以4nm低功耗(LPP)製程投產MBCFET技術。

而從現在到2020年,三星預計今年將投產8nm LPP製程,明年推出搭配EUV微影的7nm LPP製程,而在2019年計劃推出5nm和6nm LPP製程。

EUV長久以來承諾可成功實現193nm浸潤式微影技術,如今終於發展到即將投入生產之際。三星主要的競爭手——台積電(TSMC)與Globalfoundries,均已宣佈在2019年將EUV用於生產的計劃了。

三星已在製程開發中展現250W EUV光源生產的目標。根據Low,透過EUV微影,可望達到每天1,500萬片晶圓的產能。三星目前已能達到每日1,000片晶圓產能,並且有信心很快就能實現1,500萬片晶圓產能的目標。

20170526_Samsung_NT02P1 三星半導體部門總裁Kinam Kim發佈該公司的代工製程藍圖

「我們有信心能準備好在2018年將EUV投入生產,」Low說:「這已經不再只是概念性的開發藍圖。」

Low表示,相較於其競爭對手,三星將10nm節點視為「長前置期節點」(long-lead node),即在相當長的一段時間內可為客戶提供先進設計所要求的性能和功耗。

「只要功耗、性能和生產規模達到預期的目標,我們認為這就會是一個非常有生產力的節點,」Low說。

三星還詳細介紹了計劃在2019年投入生產的18nm FD-SOI製程技術。預計在提供第二代FD-SOI平台之前,該公司將藉由整合射頻(RF)與嵌入式MRAM,逐步擴展現有的28nm FD-SOI製程至更廣泛的平台。相較於上一代平台,三星預計其第二代FD-SOI平台功耗更低40%、性能和尺寸優勢也提升了20%。

編譯:Susan Hong

(參考原文:Samsung Targets 4nm in 2020,by Dylan McGrath)