英飛凌科技(Infineon Technology)於去年PCIM展會發表的全碳化矽(SiC)模組EASY 1B產品進入量產。在今年德國紐倫堡PCIM展會上,英飛凌並展示其他1200V CoolSiC MOSFET系列的模組平台和拓樸,進一步發揮碳化矽技術的潛力。

新款1200V SiC MOSFET結合高可靠度和卓越效能,動態損耗比1200V矽IGBT降低了一個數量級。首批產品將用於支援包括光伏逆變器、不斷電系統(UPS)以及充電器/儲能系統等應用的系統性挑戰。新的配置組態也將促成各種應用的全新解決方案,包括工業馬達驅動、醫療技術或鐵道用輔助電源供應等。

採用溝槽式技術的1200V SiC MOSFET主要優點在於更強大的耐用性,這是由於更低的失效率(FIT)和出色的短路容量可滿足個別應用的不同需求。產品的4V閾值電壓(Vth)和+15V建議閘極電壓(VGS)使電晶體可如IGBT一般接受控制,並於故障發生時安全斷開。SiC MOSFET可提供極快的切換瞬變。此外,英飛凌的技術可透過閘極串聯電阻來促進瞬變調整的簡易度,進而輕鬆實現最佳化的EMC特性。

英飛凌在去年已發表引腳式產品EASY 1B (半橋式/升壓式)和分立式3pin與4pin TO-247解決方案。EASY 1B平台是快速切換裝置的理想模組平台。在今年的PCIM會場上,英飛凌將展出其他採用1200V SiC MOSFET技術的模組平台與拓樸,逐步擴大CoolSiC MOSFET的適用效能範圍。

展示項目包括下列SiC模組: ‧B6 (Six-Pack)拓樸EASY 1B:此模組具備英飛凌模組組態,導通電組(RDS(ON))僅45mΩ。整合式本體二極體確保低損耗續流功能。EASY 1B適用於馬達驅動、太陽能或焊接技術領域。 ‧半橋式拓樸EASY 2B:這款大型EASY裝置提供強化效能,每個開關的RDS(ON)為8mΩ。低電感模組概念適用於50kW以上及快速切換操作的應用,包括太陽能變頻器、快速充電系統或不斷電系統解決方案。 ‧62mm半橋式技術:另一種半橋式組態具備更高功率,每個開關的RDS(ON)僅6mΩ。此模組平台有助於實現中功率等級系統的低電感連接,可在各種不同的應用領域中發揮作用,包括醫療技術或鐵道用輔助電源供應等。

EASY 1B及3pin與4pin TO-247今年將逐漸投入量產。半橋式組態EASY 1B現已供貨,亦開始供應支援的各式馬達驅動模組和示範板。新產品組態目前可提供樣品,計劃於2018年開始批量生產。