基於CMOS隔離技術的客製化固態繼電器方案

2016-09-29
作者 Silicon Labs

芯科科技(Silicon Labs)近日推出基於CMOS技術的突破性隔離型場效電晶體(FET)驅動器系列產品,使開發人員能夠自行選擇特定應用和高容量之FET來替代過時的機電繼電器(EMR)和基於光耦合器的固態繼電器(SSR)。

新型Si875x系列產品是首款隔離型FET驅動器,所運用的整合式CMOS隔離閘極傳輸電源消除了一般所需的隔離次級側開關電源,因而可減少系統成本和複雜性。

當與分離式FET搭配時,Si875x驅動器提供卓越的EMR/SSR代替解決方案,應用範圍包括電機和閥門控制器、HVAC繼電器、電池監控、AC主線路與通訊交換器、HEV/EV汽車充電系統和其他工業和汽車等。

在開關應用中,傳統上開發人員使用EMR和基於光耦合器的SSR,但這兩種技術都有其限制。EMR昂貴、速度慢、笨重並會產生雜訊,而EMR的這些缺點使得SSR的使用達到兩位數的成長率,但即使如此,其仍面臨諸多挑戰。基於光耦合器的SSR的侷限性諸如LED老化而縮短使用壽命、較高溫時性能和可靠性的降低、以及較差的雜訊抗干擾性。另外,其只能選擇受限的整合式FET,不利於性能、成本和功耗。

Silicon Labs基於CMOS的Si875x隔離型FET驅動器提供了更佳選擇,其能降低SSR或EMR應用的系統成本和功耗,增強系統性能。由於Si875x驅動器不使用LED或光學元件,因此可於整個使用壽命和溫度範圍提供極佳穩定性。極小封裝的Si875x元件提供完全無聲的開關特性,因此是笨重EMR的理想代替解決方案,這些EMR通常受限於電子開關雜訊、老化問題,以及量產所帶來的挑戰。

Si875x元件透過額定10.3V、極低1mA輸入電流和1.1ms接通時間來驅動FET閘極。將輸入電流增加到10mA更可實現極快的94μs接通時間。獨特的電源優化選項能夠快速獲得最大導通電流,之後一旦選配的外部電容放電時,靜態保持電流最高可降低至最大導通電流的90%。彈性的2.25至5.5V的輸入側電壓支援無縫連接到低功率控制器。Si875x驅動器也具備選配的米勒鉗制能力,防止外部FET的意外開啟。

Si875x元件具備2.5kVrms隔離等級,能夠操作於整個工業和汽車級溫度範圍(高達+125℃)內,設計並符合嚴格的UL、CSA、VDE、CQC標準。多功能輸入提供數位CMOS接腳控制(Si8751元件)或二極體模擬控制(Si8752元件)以符合目標應用所需,同時,彈性的輸出亦支援AC和DC負載配置。

Si875x隔離型FET驅動器樣品現已供貨,並計畫於2016年11月量產。Si875x元件支援小型SOIC-8封裝、工業級(-40℃至+105℃)或汽車級(-40℃至+125℃)環境溫度工作範圍選項。Si8751-KIT(數位輸入)和Si8752-KIT(LED模擬輸入)評估套件現已供貨。

活動簡介

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