Q3全球行動式記憶體產值小幅成長

2016-11-29
作者 DRAMeXchange

受惠於全球智慧型手機進入傳統備貨旺季,加上DRAM價格同步上揚,2016年第三季行動式記憶體總產值成長約16.8%。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示,受惠於全球智慧型手機進入傳統備貨旺季,加上各DRAM產品價格同步上揚,2016年第三季行動式記憶體總產值達45.88億美元,季成長約16.8%。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,第三季有蘋果(Apple) iPhone 7與三星(Samsung) Note 7旗艦機型發佈,讓全球行動式記憶體出貨大增,縱使Note 7受爆炸影響於第四季宣布停產,先前的備料動作已為第三季行動式記憶體的營收做出貢獻。

以三大DRAM廠行動式記憶體營收市佔來看,三星半導體營收持續擴大到約64.5%,SK海力士(Hynix)約為22.8%,美光半導體(Micron)為10.6%,三大主要DRAM廠的營收佔比達97.9%,而排名第四的南亞科僅有1.3%。

吳雅婷指出,第三季行動式記憶體佔DRAM總營收比例上升至43.5%,在Note 7停產後各品牌廠紛紛搶佔三星失去的市場,且行動式記憶體價格上漲趨勢不變的情況下,預計今年第四季行動式記憶體在DRAM總營收佔比仍將持續擴大。
[20161129 DRAMeXchange NT21P1]

就三大DRAM廠競爭能力分析,三星仍是行動式記憶體霸主,除20奈米製程已進入相當成熟的階段,今年第四季更有LPDDR4 16Gb mono die正接受客戶的驗證,其技術領先業界,如驗證成功,2017年的高階手機將有望搭載8GB記憶體。此外,其18奈米製程技術也將於明年放量,有望進一步提升三星半導體部門獲利。

SK海力士21奈米製程良率正逐步提升,加上適逢手機傳統出貨旺季,其行動式記憶體的21奈米製程的投片量也在第三季放大,SK海力士計畫將21奈米製程良率推至更成熟的階段,明年下半年也將導入18奈米的試產,提高自身競爭力。

美光集團先前由於財務狀況不穩定,在行動式記憶體採取20/25奈米並重的策略,並以華亞科20奈米轉進速度最快,專注於提供蘋果陣營的需求,而非蘋果陣營的行動式記憶體需求交由廣島廠與台灣美光記憶體的25奈米製程供應比重較高。明年美光集團也可望導入18奈米製程。
[20161129 DRAMeXchange NT21P2]

台系DRAM廠方面,受惠於行動式記憶體的生產比重提升,加上行動式記憶體漲價,南亞科在全球DRAM廠季營收市佔從1.1%提升至1.3%。目前南亞科廠內正進入20奈米製程轉換工程,該製程的行動式記憶體產能將於明年開出。

華邦電子第三季在全球DRAM廠的營收市佔與上季持平,約0.8%,整體營收在客製化產品與ASIC產品價格提升後小幅成長,華邦電子新製程38奈米有機會於今年少量生產,且將優先利用在利基型記憶體與行動式記憶體上。

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