聯電、美光專利權糾紛 聯電暫居上風

2018-07-06
作者 EE Times Taiwan

中國法院針對聯電/晉華控告美光侵犯專利權一案初步裁定禁止美光在中國銷售多款記憶體產品;美光表示將遵守禁制令,但也發新聞稿指出此案是聯電對先前美光對該公司之法律訴訟的反擊...

晶圓代工業者聯華電子(UMC,以下簡稱“聯電”)日前宣佈,中國福建省福州市中級人民法院針對聯電與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)控告美光(Micron)兩家在中國子公司侵犯專利權案件,裁定初步禁制令,禁止美光在中國市場製造、銷售或進口銷售26種DRAM與NAND快閃記憶體相關產品,包括特定型號的固態硬碟(SSD)與隨身碟。

針對以上案件,美光發佈新聞稿指出,聯電此舉實為報復台灣檢察機關針對聯電及其三名員工侵犯美光商業機密所提刑事指控,以及美光就此針對聯電與晉華向美國北加州地方法院提起的民事訴訟。聯電是在2018年1月向中國法院控告美光違反專利權,涵蓋DDR4、SSD與繪圖卡內使用的記憶體等三大領域。

美光則表示,中國法院的初步禁制令是針對其Crucial及Ballistix品牌部分型號之DRAM模組與固態硬碟,所受影響之產品約佔據美光年營收1%之多,由於目前已進入第四財季,美光預估禁制令對本季營收影響大約為1%,本季營收預測將維持於80億至84億美元範圍內;美光將依法遵守該禁制令,同時申請法院重新考慮或中止執行該初步禁制令。

此外美光也指出,上述案件宣稱之專利原先均由聯電獲得授權,聯電為邏輯IC產品半導體代工廠,一直以來欠缺先進DRAM與NAND快閃記憶體技術,儘管美光並未使用該等專利於旗下DRAM與NAND技術或產品中,聯電與晉華卻曲解專利內容,並以不實證據誣指美光侵權。美光已將充分的證據遞交至中國國家知識產權局專利複審委員會,證明涉案專利技術先前已由其他公司研發或在他國申請專利,故聯電與晉華指稱之涉案專利無效。

而美光認為,中國中央政府曾多次重申外國企業的權益在中國會獲得公平與同等的保障,但福建省福州市法院之裁決不符合中國政府所主張的政策;該公司致力於在全球積極保護和執行其商業機密和智慧產權,美光在美國加利福尼亞州對聯電和晉華提起的民事訴訟正是出於這一初衷。目前該訴訟仍在進行當中。

聯電則在另一份新聞稿中指出,該公司投入了大量資源與人力研發半導體製造技術,研發成果可應用於邏輯晶片或記憶體晶片(DRAM),而且已取得多國專利;聯電表示將持續監控其專利,當發現違反專利權情況將隨時準備採取法律行動,以積極捍衛其智慧財產權。

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