CoolSiC MOSFET 650V系列為應用提升可靠度與效能

作者 : Infineon Technologies

英飛凌新增650V產品系列——CoolSiC MOSFET,能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求…

英飛凌科技(Infineon Technologies)持續擴展其全方位的碳化矽(SiC)產品組合,新增650V產品系列——CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求,包括伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。

CoolSiC MOSFET 650V導通電阻介於27mΩ至107mΩ,採用常見的TO-247 3腳和TO-247 4腳封裝,有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產品,新的650V系列亦採用英飛凌先進的溝槽式(trench)半導體技術,使SiC強大的物理特性能獲得最大的發揮,確保裝置達到最優異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時,這些裝置具備最高的跨導等級(增益)、4V臨界電壓(Vth)和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到最低的損耗,和最高的運作可靠度,同時兼顧全方位效能。

相較於市場上其他的矽和碳化矽解決方案,650V CoolSiC MOSFET提供許多極具吸引力的優勢,例如在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有非常低的導通電阻(RDS(on))與溫度的相依性,散熱特性極其出色。裝置採用穩定可靠的本體二極體,擁有非常低的逆復原電荷(Qrr),較效能最好的超接面CoolMOS MOSFET降低了約80%。裝置在整流方面的耐用度,有助於輕鬆達到98%的整體系統效率,例如:搭配連續傳導模式的圖騰柱電路功率因子校正(PFC)。

為了簡化CoolSiC MOSFET 650V的應用設計,確保裝置實現高效能運作,英飛凌亦推出專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動IC。此解決方案結合了CoolSiC開關和專用的閘極驅動IC,有助於降低系統成本和整體擁有成本,且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET也能與英飛凌EiceDRIVER閘極驅動器系列的其他IC無縫配合運作。

CoolSiC MOSFET 650V系列包含八個版本,分別採用兩種穿孔式TO-247封裝,即日起接受訂購。三款專用的閘極驅動IC亦將於2020年3月推出。

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