ROHM發表第五代超低導通電阻Pch MOSFET

作者 : ROHM

MOSFET產品分為Nch與Pch二種,具高效率的Nch應用較為普遍,但在高側使用Nch MOSFET時,需要閘極電壓高於輸入電壓,因此會讓電路結構變得更複雜。而Pch MOSFET則能夠以低於輸入電壓的閘極電壓進行驅動,因此可簡化電路結構,並減輕設計負擔。

ROHM研發出適用於FA和機器人等工控裝置及空調等消費電子產品共計24款Pch MOSFET產品,其中包括支援24V輸入電壓的耐壓-40V和-60V單極型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和雙極型「UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列」。

本系列產品是ROHM擁有優異市場實績的Pch MOSFET產品,採用了第五代新微細製程,具備了業界超低單位面積導通電阻。耐壓-40V產品的導通電阻較傳統產品降低62%、耐壓-60V產品的導通電阻較傳統產品降低52%,有助提升應用裝置的節能性和小型化。此外,透過元件結構最佳化並採用有利於改善電場集中問題的新設計,進一步提高了產品品質,同時兼顧可靠性和低導通電阻,有助工控裝置長期穩定運作。

ROHM將持續擴充封裝陣容以支援更廣泛的應用,同時還計畫推動更多車電級產品的研發。隨著人們利用網路雲端的工作和生活模式加速進展,需要更加強化適用於資料中心伺服器及5G基地台的產品系列。ROHM將以本次所推出的第五代Pch MOSFET為基礎,持續推動具更高效率的Nch MOSFET研發工作,更進一步減少應用產品設計工時,並提高產品可靠性和效率。

近年來,在工控裝置和消費電子裝置等市場領域,透過高輸入電壓的電源電路,來達到高階控制的客戶需求的實例越來越多,針對MOSFET產品,除了要求低導通電阻之外,對高耐壓的需求也與日俱增。

MOSFET產品分為Nch與Pch二種,具高效率的Nch應用較為普遍,但在高側使用Nch MOSFET時,需要閘極電壓高於輸入電壓,因此會讓電路結構變得更複雜。而Pch MOSFET則能夠以低於輸入電壓的閘極電壓進行驅動,因此可簡化電路結構,並減輕設計負擔。在這種背景下,ROHM採用第五代微細製程,成功研發出可支援24V輸入、耐壓-40V/-60V的低導通電阻Pch MOSFET。

新產品採用ROHM第五代微細製程技術,使閘極溝槽結構較ROHM傳統產品更為細緻精密,並提高了電流密度,在支援24V輸入的耐壓-40V/-60V Pch MOSFET領域中,具有極為出色的單位面積低導通電阻。耐壓-40V產品的導通電阻較傳統產品降低62%,耐壓-60V產品的導通電阻較傳統產品降低52%,非常有助提升應用裝置的節能性與小型化。

此外新產品充分運用之前所累積的可靠性相關技術經驗和Know-how,將元件結構最佳化,同時採用新設計,改善了最容易產生電場集中問題的閘極溝槽電場分佈,大幅提升產品品質。在不犧牲導通電阻的前提下,又成功提高了原本難以兼具的可靠性,進而改善了在高溫偏壓狀態下的元件特性劣化問題,有助工控裝置長期穩定運作。

本次推出的新產品包括耐壓-40V和-60V在內共24款產品,適用於FA裝置、機器人以及空調裝置等應用。未來將繼續擴充封裝陣容,來支援工控領域之外的廣泛應用,同時也計畫開始研發車電級產品。此外採用全新結構的新世代製程不僅可應用在Pch MOSFET產品上,還可應用在Nch MOSFET產品上,並擴大其產品線,減少更多應用產品的設計工時,並進一步提高品可靠性。

 

 

 

 

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