美擴大對華為禁令對記憶體與晶圓代工業影響

作者 : TrendForce

美國商務部工業和安全局(BIS)於5月15日公布針對華為出口管制的新規範,未來使用美國半導體相關設備的外國晶片製造商必須要特別申請核准,才可對華為、海思以及其他相關公司出貨。

市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,美國商務部工業和安全局(BIS)於5月15日公布針對華為出口管制的新規範,未來使用美國半導體相關設備的外國晶片製造商必須要特別申請核准,才可對華為、海思以及其他相關公司出貨。

DRAMeXchange指出,雖然上述相關法條仍存有進一步解釋的空間,但目前觀察對於記憶體的採購(含DRAM與NAND Flash)影響有限,各原廠仍可繼續對華為出貨。但對於晶圓代工廠來說,從已知規範來看,在5月15日後若要額外增加投片皆需要經過核准,加上美國對於華為或整體中國品牌的規範力道不排除將持續增強,因此後續影響可能不容樂觀。

以記憶體的需求面來說,主要觀察重點在於禁令是否會衝擊華為的終端出貨表現(涵蓋智慧型手機、筆記型電腦、伺服器相關以及網通產品)。TrendForce認為,對於目前關鍵零組件庫存量相對足夠的智慧型手機、筆電與伺服器等產品而言,短期內的出貨衝擊較低;主要影響可能是在5G基地台、網通類別產品的後續出貨動能。

然而,考量禁令仍有120天的緩衝期,加上華為先前為避免受禁制令影響,已預先拉高零組件庫存,因此TrendForce認為,禁令對華為終端出貨造成具體衝擊的時間點最快會落在2020年第四季以後。

TrendForce認為,目前所有記憶體原廠生產之DRAM、NAND Flash以及其他相關解決方案的產品設計並未針對華為、海思以及其相關公司特別研發,因此對華為等公司的出貨不受此次禁令的限制。至於美國的記憶體供應商(Micron與Intel)也因為先前已取得特殊出貨許可,因此仍可照常對華為出貨。

不過,未來美國對華為其相關公司甚至整體中國品牌的制裁力道可能會繼續增強,因此,就算記憶體的供給面順暢無虞,但終端出貨的衝擊仍將難以避免。先前在新冠肺炎疫情(Covid-19)持續擴散的考量下,TrendForce已全面下修2020年DRAM與NAND Flash均價的預估,而美國對整體中國品牌的相關制裁將使得後續價格面臨更大壓力。

另一方面,近年來中國對半導體生產自主化的急迫性快速增加,其中最重要的環節就是記憶體相關產品。目前長江存儲即將量產128層3D NAND產品,而長鑫存儲已經有19奈米的DDR4產品小量問世,足以代表中國近三到五年來在記憶體自主研發上已得到初步成果。在美國對中國制裁力道持續增強的態勢下,中國的記憶體發展勢必會更為積極,以降低對其他國家的依賴程度。

華為晶圓代工夥伴第三季稼動率可能面臨修正

在晶圓代工產業部分,根據TrendForce調查,目前海思在台積電投片比例約兩成左右,主要為16/12奈米 (含)以下先進製程,其中16/12奈米產品以5G基地台相關晶片為主,另有中階4G智慧型手機SoC Kirin 710 (海思今年已有小量Kirin710轉投片至中芯國際14奈米製程)。

以中芯國際產能來看,14奈米目前主要生產海思Kirin 710,2020年第二季每月產能平均約5K。雖然近日中芯國際旗下中芯南方獲得中國國家積體電路基金II (大基金二期)及上海積體電路基金II投資約22.5億美元,並宣布中芯國際產能將以增加至每月35K為目標,相較原先規劃2020年底15K的產能增加約20K,但TrendForce認為,考量中芯國際14奈米良率還未有效改善,現階段對海思而言,在16奈米(含)以下先進製程台積電的地位仍難取代。

若台積電在短期內未獲得美方許可,且海思後續產品持續被禁止投片,在寬限期120天過後,可能導致台積電第三季16/12奈米以下先進製程產能利用率受到明顯衝擊。即使市場預期AMD、NVIDIA及聯發科等強勁的5G、HPC需求將持續挹注7奈米投片,但TrendForce認為仍難以完全補足海思的缺口。

綜上所述,限制使用美國設備生產華為(海思)晶片短期內將對台積電造成不小的影響。而且規範並未指明針對台積電,因此同樣使用美國設備製造半導體晶片的中芯國際,甚至其他半導體晶圓代工廠都將同樣受到出貨限制。短期內,華為雖可仰賴既有庫存持續生產終端產品,但中長期來說,將面臨無法在兩大代工夥伴台積電及中芯國際下單的威脅,進而影響終端產品生產。

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