英飛凌新推離散式650V CoolSiC Hybrid IGBT

作者 : Infineon

由於續流SiC蕭特基障礙二極體與IGBT採用共同封裝,在dv/dt和di/dt值幾乎不變下,CoolSiC Hybrid IGBT運作時能大幅降低切換損耗。

英飛凌(Infineon)推出具650V阻斷電壓,採獨立封裝的650V CoolSiC Hybrid IGBT產品組合。新款CoolSiC混合型產品系列結合了650V TRENCHSTOP 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC蕭特基二極體。新產品具有出色的切換頻率和更低的切換損耗,特別適用於DC-DC電源轉換器和功因校正(PFC)。其常見應用包括:電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、太陽光電逆變器、不斷電系統(UPS),以及伺服器和電信用交換式電源供應器(SMPS)。

由於續流SiC蕭特基障礙二極體與IGBT採用共同封裝,在dv/dt和di/dt值幾乎不變下,CoolSiC Hybrid IGBT運作時能大幅降低切換損耗。與標準的矽二極體解決方案相比,新產品可降低多達60%的Eon和30%的Eoff。或者,也可在輸出功率保持不變下,提高切換頻率至少40%。較高的切換頻率有助於縮小被動元件的尺寸,進而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP 5 IGBT,無需重新設計,便能使每10kHz 切換頻率提升0.1%的效率。

此產品系列可作為全矽解決方案和高效能SiC MOSFET設計之間的銜接,與全矽設計相比,Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統可靠性。由於蕭特基障礙二極體的單極性,使二極體能快速切換,而不會有嚴重的振盪和寄生導通的風險。此系列提供TO-247-3或TO-247-4針腳的Kelvin Emitter封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter封裝的第四針腳可實現超低電感的閘極射極控制迴路,並降低總切換損耗。

CoolSiC Hybrid離散式IGBT系列延續先前所推出採用IGBT晶片與CoolSiC蕭特基二極體的 CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK 1B和2B模組的成功經驗。此離散式產品組合即日起接受訂購。系列包含與半額定CoolSiC第6代二極體共同封裝的40A、50A和75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT,或與全額定CoolSiC第6代二極體共同封裝的中等速度S5 IGBT。

 

 

 

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