美光科技(Micron Technologies)宣佈退出曾經前景看好的3D Xpoint非揮發性記憶體市場，隨著市場頻寬需求持續飆升，將資料中心應用技術發展重點聚焦於新興的CXL (Compute Express Link)高速互連介面。

美光總裁暨執行長Sanjay Mehrotra在3月中旬表示，該公司將停止3D Xpoint技術開發，並且「將研發投資重新安排」到以CXL新興處理器-記憶體產業標準為基礎的新記憶體產品開發；他指出：「我們的決定是依據預期中CXL對3D XPoint市場商機帶來的衝擊，以及我們的新興記憶體產品在未來資料中心的應用。」

Mehrotra指出，目前美光正在與「數家潛在買主」洽談在美國猶他州Lehi的3D Xpoint專用晶圓廠出售事宜，期望能在今年稍後作成交易。Lehi晶圓廠在21世紀初期引領Micron進軍NAND快閃記憶體市場，隨後又量產了該公司的3D Xpoint記憶體技術。

美光的退出也標誌了3D Xpoint技術的轉折點；儘管英特爾(Intel)藉由Optane系列永久記憶體展現發展自家版本的3D Xpoint記憶體技術的決心，美光卻已轉向能緩解資料中心頻寬瓶頸的新興CXL標準。去年秋天英特爾宣佈將把NAND快閃記憶體業務出售給海力士(SK Hynix)的收益，進一步投入受到資料中心營運商青睞的Optane產品開發；產業觀察家指出，英特爾透過將Optane與其伺服器系統的整合，有效帶來不少補貼。

3D Xpoint非揮發性記憶體技術自2015年問世以來，美光的策略是為資料中心提供諸如應用程式容器(applications containers)等雲端原生基礎架構所需的永久記憶體方案；一開始的價值主張是比DRAM更便宜、比NAND快閃記憶體速度更快。然而，資料中心快速進展的工作負載改變了相關需求。

美光業務長Sumit Sadana在該公司宣佈轉向支持CXL規格時指出，隨著資料密集型的人工智慧(AI)工作負載成企業資料中心主流，CPU與DRAM之間的頻寬已經成為限制因素；「需要更多的DRAM以確保每個CPU核心擁有足夠的記憶體頻寬。」

此外Sadana也表示，美光將在轉向CXL時，尋求利用3D Xpoint製程與產品技術；「我們將打造與CXL介面共同運作的產品，並具備不同的最佳化點，與存在於從DRAM到快閃記憶體儲存階層結構的性能、成本與功耗的權衡相關。」

而對產業觀察者來說，美光放棄3D Xpoint只有時間點令他們驚訝。「他們並沒有成功的3D Xpoint產品；」晶片產業分析師Tom Coughlin指出，美光可能會把為3D Xpoint產品開發的相變化記憶體製程技術改用於CXL產品。

Coughlin以及其他分析師也表示，資料中心對Optane等永久性記憶體的需求仍然存在，而且CXL是專為因應異質記憶體架構所設計。分析師並認為，這為英特爾的Optane技術開啟了一個機會，基本上該公司目前是「貼錢」賣該系列產品，以衝高銷售量並在資料中心拓展記憶體密集的大數據應用。

才將NAND快閃記憶體業務出售給海力士的「英特爾目前正處於一個有趣的局面，」Coughlin估計，該公司是以DRAM的半價來銷售Optane產品，隨著DRAM價格上揚，「英特爾是否還有毅力為了衝量而堅持其Optane產品策略？」

編譯：Judith Cheng

(參考原文 ：Bandwidth Demand Prompts Micron Transition from 3D Xpoint to CXL，By George Leopold）

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