美參議院高票通過《美國創新與競爭法案》

作者 : 劉于葦,EE Times China

美國當地時間6月8日,美國參議院以68票贊成32票反對,通過《美國創新與競爭法案》(USICA),加大投資美國的製造業及及科技業,應對中國在先進技術領域的競爭,及加強本土半導體生產...

在經過數月的政治角力後,美國當地時間6月8日,美國參議院以68票贊成32票反對,通過《美國創新與競爭法案》(US Innovation and Competition Act 2021,USICA),加大投資美國的製造業及及科技業,應對中國在先進技術領域的競爭,及加強本土半導體生產。 法案的總規模達2,500億美元,包括分階段向美國國家科學基金會注資1,900億美元,加強人工智慧及量子科學等研發,設立技術和創新局,專注開發新技術及培訓人才。同時禁止將基金會研發的智慧財產權,轉讓給中國等的外國實體。 另外亦包括半導體生產激勵措施(CHIPS for America Act)的520億美元資金,用於半導體零組件的本土化生產。先前,CHIPS for America 法案是作為《國防授權法案》(NDAA)的一部分通過的,後來又作為《無盡邊界法案》(Endless Frontier Act)獲得通過,然後以目前的《美國創新與競爭法案》名稱進行擴展。 美國各方表態支持 這也是在立場兩極的美國議會上,少見地達成跨黨派合作。參議院多數黨領袖Chuck Schumer)把他和印地安納州共和黨人Todd Young推出的《無盡邊界法案》,與外交關係委員會、銀行委員會、國土安全部等機構的法案整合,成為《美國創新與競爭法案》,過去一個多月以來參議員多次辯論,希望加入自己重視的中國相關措施。 對於本次高票通過,Schumer表示,「未來的科技贏家將是全球經濟領袖,這對外交政策和國家安全都有深遠意義。...這是總統拜登的議程,我確信我們將把很棒的法案送到總統桌上。」 參議院少數黨領袖Mitch McConnell不滿法案未加入共和黨提出的修訂,但仍認為法案值得支持。美國國務卿Anthony Blinken讚揚法案獲得通過,使美國可以強而有力應對中國的競爭。 美國半導體產業協會(SIA)主席John Neuffer對法案通過表示歡迎,「《美國創新與競爭法案》在參議院通過是加強美國半導體生產和創新的關鍵一步,說明華盛頓兩黨大力支持確保美國在科學和技術方面的持續領導地位。我們期待和拜登政府與國會領袖合作,快速落實晶片技術投資的法案,確保在這片國土上研究、設計並生產出更多晶片。」 催促眾議院儘快通過 此案尚須過眾議院這一關,通過後才能送交總統拜登簽署生效。目前眾院領袖尚未做過公開承諾,但Schumer表示,經過數次修改後,現在的版本更貼近眾議院正在進行的版本。 「我們很高興看到美國參議院的兩黨承諾加強國內半導體供應鏈。國會清楚地認識到半導體是我們最重要的資源之一,」Globalfoundries執行長Tom Caulfield說,「今天,在參議院的支持和美國創新與競爭法案的通過下,我們向前邁出了關鍵的一步,並期待著在眾議院迅速通過。這項對半導體製造的投資將有助於GlobalFoundries加快在美國的擴張計畫,創造高薪工作並提高產能。」 Neuffer也喊話眾議院:「我們呼籲眾議院迅速通過這項對國內晶片技術的必要投資議案,並將立法送交總統辦公室簽署成為法律。這些投資的實施將有助於在未來幾年加強美國的經濟、國家安全、技術領先地位和全球競爭力。」 SIA為何如何著急?因為根據他們的調查資料,美國在2020年佔全球半導體銷售額的大部分,達到55%。但是另一方面,美國在全球半導體製造能力中的份額已從1990年的37%下降到今天的12%。這種下降是由於全球其他國家或地區,向晶圓代工廠或IDM廠商提供大量補貼以建造新的晶圓廠,這使美國在吸引新的晶片工廠建設方面處於競爭劣勢。 如果不採取任何措施來糾正這種差距,預計未來十年美國本土製造的晶片將僅佔全球晶片的 10%,這種差距還將進一步擴大。 已經在規劃中的新晶圓廠 雖然該法案將有助於增加資金以在美國建立更多的晶圓廠,但設施已經在規劃中。台積電(TSMC)本月在亞利桑那州的新晶圓廠開始建設,該公司計畫在該晶圓廠上花費至少120億美元,但有報導稱,該公司可能會花費350億美元,即原始投資的三倍,在亞利桑那州建造一座工期需要10~15年的超級晶圓廠。 英特爾(Intel)還在其位於亞利桑那州錢德勒的Ocotillo園區建造了兩個新晶圓廠。英特爾將在晶圓廠上投資200億美元,並額外投資35億美元以擴大其在新墨西哥州的先進晶片封裝技術業務。 Globalfoundries已承諾投資14億美元,以增加其在美國、新加坡和德國的三個工廠的產量。該公司最近還在紐約馬爾他的Fab 8工廠附近購買了約55英畝的未開發土地。還有報導稱,三星(Samsung)代工廠將在德克薩斯州首府或附近建造另一座晶圓廠,預算超過170億美元。 備註:本文內容參考CNN、路透社、the verge、Electronics360、california news times、鉅亨網 本文原刊登於EE Times China網站        

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