意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓

作者 : STMicroelectronics

意法半導體(STMicroelectronics,ST)宣布,ST瑞典Norrköping工廠製造出首批8吋 (200mm)碳化矽(SiC)晶圓,這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。

將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功,其鞏固了ST在此一開創性技術領域的領導地位,且提升了功率電子晶片的輕量化和效能,降低客戶獲取這些產品的擁有總成本。

意法半導體首批8吋SiC晶圓品質十分優良,對於晶片良率和晶體位元錯誤之缺陷非常低。其低缺陷率歸功於意法半導體SiC公司(前身為Norstel,2019年被ST收購)在SiC矽錠生長技術深厚積累的研發技術。除了晶圓能滿足嚴格的品質標準之外,升級到8吋SiC晶圓還需要對製造設備和支援生態系統的升級。意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作研發專屬的製造設備和生產製程。

意法半導體先進的量產SiC STPOWER SiC目前由義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6吋晶圓廠完成前段製程製造,後段製程製造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。這個階段性的成功是意法半導體佈局更先進的、高成本效益之8吋SiC量產計畫的一部分。到2024年,升級到8吋SiC晶圓屬於公司正在執行之新建SiC基板廠和內部採購SiC基板比重超過40%的計畫。

 

 

 

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