全面掌握SiC市場 擴產/收購一樁接一樁

作者 : EE Times China

由於SiC的市場前景讓相關半導體業者眼睛一亮,為將SiC從材料到生產全部一手抓,近幾年SiC此一寬能隙元件市場不僅併購事件頻傳,在SiC擴產方面也是動作頻頻…

8月25日,安森美半導體(Onsemi)宣佈收購碳化矽(SiC)供應商GT Advanced Technologies(以下簡稱GTAT),交易金額為4.15億美元。該交易已獲得安森美半導體和GTAT董事會的一致批准,預計將於2022年上半年完成,不過還取決於監管部門的批准和其他慣例成交條件。

SiC是第三代半導體的關鍵材料,可顯著提高電動車(EV)、電動車充電和能源基礎設施的系統效率。近年來以SiC和GaN為首的寬能隙半導體逐步顛覆功率元件市場,根據Omdia的預測,功率離散元件市場規模2024年成長至172億美元,相比2020年成長近18%。而寬能隙元件則會由2020年5%的市佔率成長到2024年的大約17%。

 

 

據悉,GTAT成立於1994年,在SiC等晶體生長領域具有豐富的經驗。安森美半導體在與GTAT達成交易之前,大部分用於SiC晶片中的晶圓都是從外部供應商採購,此交易將能讓安森美半導體擴增SiC貨源,並滿足客戶不斷成長的對可持續生態系統中基於SiC的解決方案的需求,包括電動車、電動車充電和能源基礎設施。

此外,安森美半導體還計畫投資擴大GTAT的研發工作,以推進150mm和200mm SiC晶體生長技術,同時還投資更廣泛的SiC供應鏈,包括晶圓廠(Fab)產能和封裝。可以說,此次交易是安森美半導體進一步打入電動車領域的重大行動。

安森美半導體總裁暨執行長Hassane El-Khoury表示:「此次交易展示了我們對SiC解決方案進行投資的信心和承諾,不斷支持智慧電源和感測技術創新,從而助力建立可持續的未來。我們致力於強化我們在汽車領域的主導地位,並不斷深化在汽車和工業領域的技術創新。而GTAT在開發可用於晶圓加工的SiC方面具有卓越的技術和專業知識。因此我們計畫加速並擴展這些技術,從而更好地為快速成長的終端客戶提供支援。我們期待GTAT才華橫溢的員工加入安森美團隊,共同推動創新。」

GTAT總裁暨執行官Greg Knight表示:「此次收購標示著GTAT新篇章的開始,也證明了我們團隊的價值。安森美可以擴大我們的能力,並提供資源和平台,從而最大限度地發揮我們前端生產技術的潛力,並確保我們始終保持在先進晶體生長相關技術的領先地位。」

此次收購還加強了安森美對顛覆性、高成長技術進行重大投資的承諾,這與公司最近在其財務分析師日宣佈的2025年目標財務模型相一致。正如安森美之前所說,由於公司投資以推動差異化和領先地位,包括在SiC領域的投資,預計2022年和2023年的資本支出將佔營收的12%左右,預計該交易不會影響公司2025年的目標財務模型。

安森美打算用手頭的現金和現有的迴圈信用貸款為這項交易提供資金。公司預計該交易將在短期內略微稀釋其非GAAP每股收益,並在交易完成後一年內增益。截止發稿前,安森美半導體盤前跌1.75%,收在43.51美元。

巨頭紛紛入局SiC

就在不久前,富士康宣佈以9,000多萬美元收購旺宏旗下的一家200mm晶圓製造廠,富士康董事長劉揚偉表示,收購完成後,「鴻海將用來開發與生產第三代半導體,特別是電動車使用的SiC功率元件,這將是我們在3+3策略中,整合EV與半導體發展的重要里程碑。」

資料顯示,目前全球SiC矽晶圓總年產能約在40~60萬片,而且同時期的矽晶圓已經由200mm向300mm進發,但SiC晶圓的主流尺寸還是150mm,每片晶圓能製造的晶片數量不大,遠不能滿足下游需求。

當前以SiC為代表的第三代半導體現在正從150mm轉至200mm製程,富士康佈局時間點上恰逢其時。除了富士康,傳統的SiC大廠們也早已行動起來:

 

據不完全統計,未來2~5年內SiC產能仍將繼續增加。

(來源:《科創板日報》、芯思想,EE Times China整理)

 

雖然在SiC市場上,整合元件製造商(IDM)佔據主導地位,SiC代工公司也不甘落後,希望能夠複製成功的矽代工廠的模式。德國X-Fab、英國Clas-SiC (150mm)、韓國YES POWERTECHNIX (YPT),以及台灣漢磊(Episil)、廈門三安(SANAN)、蕪湖啟迪(TUS SEMI)都希望從中分到一杯羹。

本文原刊登於EE Times China,Luffy Liu編輯

 

 

 

 

 

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