TrendForce表示，2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。

2020~2025年全球SiC功率市場規模(單位：億美元)。

(來源：TrendForce)

據TrendForce研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在於消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年複合成長率(CAGR)高達78%。前三大應用佔比分別為消費性電子60%、新能源車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查，截至目前已有10家手機OEM陸續推出18款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。

2020~2025年全球GaN功率市場規模(單位：億美元)。

(來源：TrendForce)

而全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年複合成長率達38%，其中前三大應用佔比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業中又以主驅逆變器、車載充電器(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。

關鍵基板多數仍由歐美日IDM掌握

TrendForce指出，因第三代半導體GaN及SiC基板(Substrate)材料生長條件相對困難，以及現行主流尺寸大致落於6吋並往8吋方向邁進，驅使價格相較傳統8吋、12吋矽基板高出5~20倍不等。由於多數材料仍集中於美國Cree及貳陸(II-VI)、日本羅姆(Rohm)及歐洲意法半導體(STMicroelectronics)等IDM手中；部分陸系業者如山東天岳(SICC)及天科合達(Tankeblue)等在中國十四五政策支撐下相繼投入，以期加速國產化自給自足目標。

台灣在第三代半導體發展進程方面，儘管歐、美、日等地發展較早且製程較成熟，但TrendForce認為台灣相對處在有利位置。由於台灣本身具備長期矽開發經驗，並擁有完整上、下游供應鏈，加上近期在地化材料、設計與技術等政策牽引等優勢，驅動台灣目標成為半導體先進製造中心，使前段基板及磊晶產業鏈逐步成形，以及中後段晶片設計、製造及封測亦為主力項目。

目前漢民集團的嘉晶(EPI)、漢磊科(EPISIL)與中美晶集團的環球晶(GW)、宏捷科(AWSC)、兆遠(CWT)、朋程(ATC)等兩大聯盟，透過合作策略希冀在稀缺的基板區塊發揮最大整合效益；此外，廣運集團與太陽能廠太極(TAINERGY)共同投資的盛新材料(TAISIC)，除了目前在送樣驗證的4吋SiC基板，也積極投入6吋SiC基板的研發。

活動簡介

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會中將邀請來自嵌入式設計相關領域的研究人員、代表廠商以及專家，透過專題演講、產品展示與互動交流，從元件、模組到系統，從概念設計到開發工具，深入介紹嵌入式系統設計領域的最新趨勢、創新和關注重點，並深入分享關於嵌入式系統設計的經驗、成果以及遇到的實際挑戰及其解決方案。

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