根據TrendForce研究顯示，2022年的DRAM供給位元成長率約18.6%，然而由於目前買方庫存水位已偏高，加上2022年需求位元成長率僅17.1%，明年DRAM產業將由供不應求轉至供過於求。儘管DRAM價格將因供過於求而出現下滑，但在寡佔市場型態下，整體產值並不會大幅下跌，預估2022年的DRAM總產值將達915.4億美元，年增微幅上升0.3%。

TrendForce以明年各季度的供過於求比例(以下稱：sufficiency ratio)作為預測基礎，預期DRAM平均銷售單價將年減15%，而價格下滑幅度在上半年較為明顯；下半年起將受惠於DDR5的滲透率提升與旺季需求效應帶動，均價跌幅將收斂，不排除有持平或漲價的可能性。

2019~2022年DRAM產值與年成長率(單位：百萬美元)。

(來源：TrendForce)

NAND Flash明年產值再增7.4%

NAND Flash方面，2022年供給位元年增長率約31.8%；而需求位元年成長幅度為30.8%，故明年NAND Flash價格也將受供過於求影響而有所下滑。此外，由於NAND Flash屬完全競爭市場，均價下滑的幅度較DRAM更加明顯，然NAND Flash在層數結構的堆疊持續推進，故在供給位元成長仍維持在30%以上的情況下，預估2022年NAND Flash總產值仍有成長空間，達741.9億美元、年增7.4%。

2019~2022年NAND Flash產值與年成長率(單位：百萬美元)。

(來源：TrendForce)

同樣以明年各季的sufficiency ratio作為預測基礎，推估2022年平均銷售單價將年減18.0%，而價格下滑幅度也是在上半年度較為明顯，下半年起將受惠於旺季需求效應帶動，均價跌幅較為收斂，或有單季價格持平的可能性。

整體而言，DRAM與NAND Flash歷年的總產值變化，由於兩者競爭型態的不同，DRAM基本上在產能擴張上較有紀律，故長期均價的波動性較小，同時20nm以下製程微縮已經逐漸達到物理極限，使得年度位元成長增幅有限；而NAND Flash在產能擴張的規劃則較不穩定，再加上產品的層數仍能持續提升，故長期均價的波動性較大，進而呈現DRAM產值成長幅度不及NAND Flash的態勢，但獲利表現方面則反之。

產值若無法跟進成長恐壓抑廠商獲利能力

從資本支出來看，DRAM方面，近年來其整體資本支出對營收佔比(以下稱：CAPEX to sales ratio)逐漸升高有兩大原因，首先，由於DRAM的製程微縮已經逐漸面臨物理極限，在20nm製程以後，除了美光(Micron) 1alpha nm仍造就有近30%的單晶圓位元成長外，其他從1Xnm轉至1Ynm、或者1Ynm轉至1Znm製程，成長已經收斂至15%以內。2022年三星(Samsung)與SK海力士(SK Hynix)的最先進製程將正式導入關鍵機台EUV，而該機台的生產交期長且造價高昂，使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出，以因應EUV的前置訂單。

其次，由於DRAM已形成寡佔市場型態，即便偶爾出現均價下跌周期，也因為供應商的生產秩序形成，銷售均價難以跌破總生產成本(fully loaded cost)，故DRAM原廠能夠逐漸累積來自該產品的生產獲利。由於製程轉進不易，除三大原廠以外，市佔較小的南亞科(Nanya Tech)、華邦(Winbond)等廠商皆有實際擴產計畫，成為DRAM 市場CAPEX to sales ratio持續升高的另一大原因。

NAND Flash方面，其CAPEX to sales ratio自2017年轉進3D NAND技術以來即有顯著提升，該年之前平均達25~30%，目前提升到平均近40%。主因是隨著3D堆疊層數的上升，除了拉長產品生產所需時間，對於蝕刻難度、精準度的要求也一併提升，主流層數正朝向1YY層世代邁進，供應商同時開始研發2XX層產品技術，對於單次蝕刻深度的要求不斷增加，顯示出該產業所需的資本支出總額隨著層數提升、產值增加而持續成長。

TrendForce表示，由於NAND Flash堆疊層數的技術推進，未來供應商仍將持續追求推進更高層數，以降低每GB的生產成本。因此，預期該產業的資本支出仍有增長空間，且CAPEX to sales ratio將維持在接近40%或以上。值得注意的是，若未來數年產值無法跟進支出的成長速度，恐將造成CAPEX to sales ratio過度上升，進而壓抑供應商獲利能力。

活動簡介

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