TI明年啟動新12吋半導體晶圓製造基地工程

作者 : TI

德州儀器(TI)將於明年在美國德州Sherman啟動新12吋(300mm)半導體晶圓製造基地興建工程。

由於電子產品,尤其是工業和車用市場對半導體的需求預計在未來持續成長,這個位於北德州的製造基地最多可興建四座晶圓廠以滿足市場對半導體的強勁需求。目前第一座和第二座晶圓廠的興建工程將於2022年開始動工。

第一座晶圓廠預計於2025年開始投產。如果最終該基地的四座晶圓廠全數完成興建,總投資金額將達約300億美元,並為當地提供3,000個工作機會。

新的晶圓廠將加入德州儀器現有的12吋晶圓廠陣營,包括位於德州達拉斯(Dallas)的DMOS6、位於德州Richardson的RFAB1和即將完工並預計於2022年下半年開始投產的RFAB2,以及德州儀器近期收購位於猶他州Lehi且預計於2023年初投產的LFAB。

 

 

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