東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba)已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組：額定電壓為1,200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1,700V、額定汲極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發佈的MG800FXF2YMS3共同組成了1,200V、1,700V和3,300V元件的陣容。

新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉換器和逆變器，以及可再生能源發電系統。應用包括軌道車輛的逆變器和轉換器、可再生能源發電系統、馬達控制設備、高頻DC-DC轉換器。

MOSFET雙模組特性：安裝方式相容Si IGBT模組、損耗低於Si IGBT模組，以及內建NTC熱敏電阻。

活動簡介

從無線連接、更快的處理和運算、網路安全機制、更複雜的虛擬實境(VR)到人工智慧(AI)等技術，都將在未來的每一個嵌入式系統中發揮更關鍵功能。「嵌入式系統設計研討會」將全面涵蓋在電子產業最受熱議的「智慧」、「互連」、「安全」與「運算」等系統之相關硬體和軟體設計。

會中將邀請來自嵌入式設計相關領域的研究人員、代表廠商以及專家，透過專題演講、產品展示與互動交流，從元件、模組到系統，從概念設計到開發工具，深入介紹嵌入式系統設計領域的最新趨勢、創新和關注重點，並深入分享關於嵌入式系統設計的經驗、成果以及遇到的實際挑戰及其解決方案。

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