碳化矽MOSFET模組實現尺寸更小工業設備

作者 : Toshiba

東芝電子元件及儲存裝置已推出兩款碳化矽MOSFET雙模組…

東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba)已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組:額定電壓為1,200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3;額定電壓為1,700V、額定汲極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品,與之前發佈的MG800FXF2YMS3共同組成了1,200V、1,700V和3,300V元件的陣容。

新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求,如軌道車輛的轉換器和逆變器,以及可再生能源發電系統。應用包括軌道車輛的逆變器和轉換器、可再生能源發電系統、馬達控制設備、高頻DC-DC轉換器。

MOSFET雙模組特性:安裝方式相容Si IGBT模組、損耗低於Si IGBT模組,以及內建NTC熱敏電阻。

 

 

 

 

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