採用D2PAK封裝MOSFET可降低應用損耗

作者 : Infineon

為了順應當下全球發展大勢並滿足相關市場需求,英飛凌科技(Infineon)推出了650V CoolSiC MOSFET系列新產品。

在數位化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發展大勢並滿足相關市場需求,英飛凌科技(Infineon)推出了650V CoolSiC MOSFET系列新產品。

該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點,能夠提供卓越的性能。這些SiC元件採用了英飛凌先進的SiC溝槽式製程、精簡的D2PAK表面黏著7引腳封裝和.XT互連技術,廣泛適用於大功率應用,包括伺服器、電信設備、工業SMPS、電動車快速充電、馬達驅動、太陽能系統、儲能系統和電池化成等。

新產品可在更大電流下提供更出色的開關性能,相比於最佳矽元件,其反向恢復電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%。透過降低開關損耗,該產品可在縮小系統尺寸的同時,實現開關頻率,從而提高能效和功率密度。溝槽式技術為實現卓越的閘極氧化層可靠性奠定了基礎,加之經過最佳化的耐雪崩擊穿能力和短路耐受能力,即使在惡劣環境中亦可確保極高的系統可靠性。SiC MOSFET不僅適用於連續硬式換流情況,而且可以在高溫等惡劣條件下工作。由於它們的導通電阻(RDS(on))受溫度的影響小,這些元件實現了出色的熱性能。

由於具備較寬的閘源電壓(VGS)範圍,為-5V~23V,支援0V關斷,以及大於4V的閘源閾值電壓(VGS(th)),新產品可以搭配標準的MOSFET閘極驅動器IC使用。此外,新產品支援雙向拓撲,具有完全的dv/dt可控性,有助於降低系統成本和複雜度,並且易於在設計中使用和整合。.XT互連技術大幅提高了封裝的散熱性能。與標準互連技術相比,.XT互連技術可額外耗散30%的損耗。英飛凌新推出的採用D2PAK 7引腳封裝的SiC MOSFET產品組合包括10款新產品,是市面上型號最齊全的產品系列之一。

 

 

 

 

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