上峰科技與X-FAB合作於XH018製程平台成功導入創新OTP I-fuse S3架構

作者 : Attopsemi

OTP矽智財供應商上峰科技與歐洲晶圓大廠X-FAB共同宣佈,上峰科技創新的一次性可編程記憶體OTP I-fuse S3架構已成功導入X-FAB的0.18微米製程…

OTP矽智財供應商上峰科技(Attopsemi)與歐洲晶圓大廠X-FAB共同宣佈,上峰科技創新的一次性可編程記憶體OTP I-fuse S3架構已成功導入X-FAB的0.18微米製程,並已支援客戶於各規格(512bits~8KBytes)成功進入量產階段。

上峰科技的創新I-fuse S3架構與前一代架構相比,可在不犧牲燒錄電壓及其他既有優勢下,降低至少50% OTP面積。例如在XH018製程下,可將峰值和平均電流消耗降低1/3~1/2,同時僅需3.3V標準I/O燒錄電壓。

X-FAB的XH018製程專注於提供客戶高效能模組感測器和高壓EPI技術,且於1.8V/3.3V超低噪製程技術(ultra-low noise)上,提供多種車規等級(-40~175℃) OTP選項。上峰科技的I-fuse將於XH018的NVM產品架上登錄。

「上峰科技前一代的I-fuse已在 0.18微米和0.13微米平台上量產,而此次上峰科技創新的一次性可編程記憶體OTP I-fuse S3架構的導入,為X-FAB提供市場更完整、更高規的NVM解決方案。」X-FAB記憶體解決方案行銷經理Nando Basile表示:「I-fuse S3新架構在XH018製程下不需要額外的光罩,能為我們客戶提供面積上的優勢,為我們的客戶提供了相當具競爭力的晶片成本。」

上峰科技董事長莊建祥表示:「上峰科技致力於提供客戶高規格、高可靠度的OTP技術設計服務,而我們對XH018製程的高良率非常滿意,此次與X-FAB成功合作,亦促成車用及醫療等不同領域的專案開發,擴大上峰科技在OTP市場佈局。」

 

 

 

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