英特爾(Intel)不久前砸下30億美元，擴充位於美國奧勒岡州(Oregon)科技重鎮Hillsboro的DIX Mod3先進技術晶圓廠，目標是重新取得在半導體製程技術上的領導地位。

在該廠的開幕儀式上，英特爾執行長Pat Gelsinger重申該公司對美國在半導體研發領導地位的承諾。英特爾將這座佔地近500英畝(EETT編按：約202.3公頃)，位於Ronler Acres工業區的園區重新命名為「Gordon Moore Park」(參考文章上方大圖)，提醒世人摩爾定律(Moore’s Law)仍然有效──近年來，業界一直憂心摩爾定律已經失去動力。

「自成立以來，英特爾一直致力於持續推進摩爾定律；」Gelsinger在一份新聞聲明中表示：「這個全新廠房空間將強化我們提供加速製程技術藍圖的能力，以支援我們大膽的IDM 2.0 策略。奧勒岡州長期以來是我們全球半導體研發的核心重地。」

該據點是英特爾全球技術開發部門的總部，負責透過打造全新電晶體架構、晶圓製程和封裝技術來推進摩爾定律，鞏固該公司的產品技術藍圖。奧勒岡州廠房預期能為從PC、雲端基礎建設到5G網路等應用提供基礎技術；該團隊約有1萬名員工，主要駐在Hillsboro當地。

這個團隊面臨的一個關鍵挑戰，是將晶片上的功能微縮到原子大小。奧勒岡州晶圓廠以高介電質金屬閘極(high-k metal gate)技術、三閘極(tri-gate) 3D電晶體和應變矽(strained silicon)等創新技術而備受肯定，而所有這些都是跟上摩爾定律的基礎。

「那些開創性的製程創新都起源於奧勒岡州據點，隨著我們D1X廠房的最新擴展，該據點已經做好提供下一代領先技術的準備；」英特爾技術開發部門總經理Ann Kelleher表示：「半導體是美國技術領先地位、經濟和供應鏈彈性的基礎，而英特爾是世界上唯一在美國擁有大部分製程和封裝研發、以及大量尖端半導體元件生產的公司。」

英特爾在2021年宣佈了雄心勃勃的製程技術藍圖，目標是超越其競爭對手台積電(TSMC)和三星(Samsung)，重新取得領導地位。英特爾期望加速創新的步伐以及每年一次的進步節奏，在2025年之後能將創新技術運用於新產品。

那些創新技術包括英特爾的環繞式閘極RibbonFET，即一種全新的3D電晶體架構；此外還有一種晶背電力傳輸技術PowerVia，以及高數值孔徑(NA)的極紫外光(EUV)微影。

英特爾的RibbonFET技術。 (來源：英特爾)

藉由這筆規模達30億美元擴充D1X據點的投資，英特爾工程師將擁有額外的27萬平方英呎(EETT編按：約7,586坪)無塵室空間，用於開發下一代矽製程技術。英特爾也會將技術成果從Hillboro轉移至該公司位於全球的製造據點。

英特爾在美國奧勒岡州的廠房規模與人才是該公司全球據點中最大的，其位於Hillboro的4個園區員工總數近2萬2,000 名；此次擴充將使該公司在奧勒岡州的總投資超過520億美元。

而該公司的目標也包括取得一部份美國政府提供、總額達520億美元振興本土半導體製造預算。美國曾經是世界上最大的晶片製造國，但目前僅佔據全球半導體製造量約12%。美國半導體行業的衰落，通常被認為是國家安全的弱點。

英特爾表示，藉由聘雇員工、龐大的本地承包商和供應商網路，還有其資本投資以及其他產業下游的影響，該公司每年對美國貢獻超過10萬5,000個工作崗位，以及超過100億美元的勞動收入，與高達190億美元的國內生產毛額(gross domestic product，GDP)。

本文同步刊登於《電子工程專輯》雜誌2022年6月號

責編：Judith Cheng

(參考原文：Intel Invests $3 Billion in Oregon Fab to Regain Industry Leadership，By Alan Patterson)

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