業界兩大晶圓代工競爭對手台積電(TSMC)和三星(Samsung Foundry)之間的製程節點戰又掀起了新波瀾。近來業界盛傳台積電將直接繞過2nm，其3nm研發團隊將於6月全面轉戰1.4nm製程研發，這可能引發台灣代工大廠和三星之間的另一輪製程節點對決。然而，台積電轉投至1.4nm製程幾何實際上將從哪些方面著手，目前看來尚不明朗。

圖1：台積電多年來一直在奈米製造領域保持領先地位。

荷蘭微影設備巨擘ASML指出：「從元件方面來看，目前的技術創新足以將晶片製程推進到至少1nm節點，包括GAA FET、nanosheet FET、forksheet FET，以及complementary FET。」這也意味著摩爾定律可繼續沿用十年甚至更長時間。此外，微影設備的解析度進展(預計每6年左右縮小2倍)和邊緣放置誤差(EPE)對精度的衡量也將進一步推動晶片尺寸微縮。

過去幾年來，這兩家代工廠一直在競相開發10nm以下製造製程。三星先前發佈將在2025年生產2nm製程晶片的計畫，是截至目前為止有關開發最小製程節點的公開新聞發佈。

這家韓國晶圓巨擘目前正忙於在其新的3nm製程節點上大規模量產晶片。三星提前在3奈米製程採用稱為「環繞閘極」(Gate-All-Around；GAA)技術的下一代電晶體結構。GAA製造技術將大量MOS電晶體整合至一個更小的晶片中。三星稱其為多橋通道場效應電晶體(Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor，MBCFET)。

圖2：三星於 2017 年將其晶圓代工業務獨立出來。

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