堅實策略與技術為後盾 英飛凌引領世界建構綠色高能效的未來

作者 : EE Times Taiwan編輯部

在減緩全球暖化的大行動中,半導體廠商紛紛推出能夠進一步降低功耗、減少碳排放的產品,英飛凌即是其中的佼佼者…

環境永續已成為各國、各行各業的重要目標,促使產業透過各種方式、新技術、科技來節能減碳,以期可減緩全球暖化的問題。這場有著全球共同目標的大行動中,一向走在技術最前方的半導體產業,自然也不落人後,各家廠商紛紛推出能夠進一步降低功耗、減少碳排放的產品,英飛凌(Infineon)即是其中的佼佼者。

英飛凌台灣總經理黃茂原在參加SEMICON Taiwan「功率光電暨半導體論壇」時表示,過去十多年來,人們、產業界一直在討論著如何解決暖化、降低二氧化碳排放與提升能源效率等種種議題,但似乎卻僅獲得有限的成果。反而是一場COVID-19疫情,讓全球二氧化碳排放量在2020年時獲得近期的最大降幅。

 

英飛凌台灣總經理黃茂原於SEMICON Taiwan「功率光電暨半導體論壇」中,闡述英飛凌在減緩全球暖化過程中所做的努力。

 

但疫情總會漸漸過去,人們仍會開始追求新的技術、更便利的生活,或者企業在追求營利的過程中,可能會再度淡忘環境永續的急迫性問題。因此,該怎麼透過半導體前瞻技術,「真正」讓全球獲得減排的成果?黃茂原談到,眾所周知,造成全球暖化的元凶是溫室氣體排放過多,根據統計,現今有三分之二的溫室氣體排放來自能源產業,且全世界三分之一的能源需求已用於電力;未來人口的成長及數位化趨勢將需要更多的電力。

為了達到巴黎協定的目標,國際能源署提出的途徑包括透過燃料轉換、提升能源效率以及再生能源使用來達成其二氧化碳巨幅減排的目標。黃茂原進一步解釋,在燃料轉換方面,英飛凌的高能效功率半導體可為氫經濟的發展提供支援;能源效率方面,英飛凌先進的寬能隙(WBG)產品,可提高包括太陽光電、資料中心、電動車在內的能源轉換效率;在再生能源領域中,英飛凌的解決方案則是專注於如何從太陽能和風能等各種自然資源中收穫更多電力。總的來說,英飛凌的矽與寬能隙半導體解決方案可為整個能源產業鏈提供有價值且強而有力的支援。

看好碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體在整個能源產業鏈,包括電動車、再生能源、資料中心、5G通訊等各式應用中帶來的優勢與前景,英飛凌已投入長久的研發,並在20年前就推出首款SiC產品。黃茂原說明,現有的矽、SiC和GaN各有其最好的應用場域與優勢;也就是說,根據應用所需的額定功率和開關頻率的考量,無論是矽、SiC或GaN元件都各有充分發揮潛力之處。

「矽基解決方案仍然會是主流技術,而且會更好地滿足成熟應用中從低功率到高功率需求,」黃茂原強調。而SiC在許多應用中可以與矽互補,並且更適合大功率以及高頻的應用,GaN則可滿足像是消費類產品等中功率、高頻的應用,實現更精簡尺寸的需求。可以說,矽與寬能隙功率元件,在各種應用中各司其職。

因此,英飛凌在持續推進矽功率半導體之外,也憑藉長久研發功率元件的技術累積,積極佈局寬能隙元件市場。

舉例來說,英飛凌逐步進行現有矽、SiC和GaN產能擴張,以應對市場快速成長的需求,包括位於德國德勒斯登(Dresden)的世界第一座300mm功率半導體生產基地以及位於奧地利菲拉赫(Villach)增建的第二座300mm晶圓廠已於2021年投入營運,菲拉赫據點也將進一步強化作為寬能隙半導體技術全球能力中心和創新基地的角色,並將既有6吋和8吋的矽晶圓生產線轉作為SiC和GaN元件的生產線。

不僅如此,英飛凌還在馬來西亞居林(Kulim)投資超過20億歐元,進一步擴大在SiC和GaN的產能,預計將於2024年竣工。而為確保順利取得原料,英飛凌也與昭和電工、Cree與II-VI等廠商簽訂供應長約。此外,黃茂原表示,英飛凌透過併購Siltectra公司所取得的冷切割(Cold Split)技術,可以在SiC的生產過程中大幅減少原材料損失,使切割出來的晶圓數更多。

種種提升產能,穩定供貨的投資與技術研發,在在皆是英飛凌為充分滿足能源市場需求所訂下的策略;而這些計劃與產品也將成為英飛凌引領全球走向永續綠能大未來的重要基石。

 

 

 

 

 

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