評估可靠性使用的失效率(FIT)是分析客戶現場應用中失效的元件數。迄今為止，基於超過850億小時的現場應用資料，該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1。現有氮化鎵功率解決方案的全功率可靠性評估中，這一失效率是業界報導過的最好的評估結果之一。

Transphorm在建構其氮化鎵平台時考慮了可靠性的要求, 瞭解寬能隙技術進入市場時可靠性的重要。儘管氮化鎵比矽管的性能更高，但是，如果元件在實際應用中失效，客戶不會選擇切換到新技術的氮化鎵產品。2019年，Transphorm成為首家發佈用於證實其產品可靠性的完整驗證資料的氮化鎵製造商。此後，該公司定期分享其氮化鎵元件可靠性成果，以説明潛在客戶在選擇半導體供應商時, 能根據資料做出正確的判斷。

今年，為改進客戶評估GaN FET元件，Transphorm邁出了新的一步。該公司將其可靠性資料細分成兩類：

．低功率：應用在功率級小於500瓦的氮化鎵元件

．高功率：應用於功率級大於500瓦的氮化鎵元件

在不同功率級範圍去評估元件性能，Transphorm的氮化鎵功率電晶體表現出與矽基功率元件極為相似的可靠性水準：

．低功率：FIT失效率為0.06

．高功率：FIT失效率為0.19

活動簡介

從無線連接、更快的處理和運算、網路安全機制、更複雜的虛擬實境(VR)到人工智慧(AI)等技術，都將在未來的每一個嵌入式系統中發揮更關鍵功能。「嵌入式系統設計研討會」將全面涵蓋在電子產業最受熱議的「智慧」、「互連」、「安全」與「運算」等系統之相關硬體和軟體設計。

會中將邀請來自嵌入式設計相關領域的研究人員、代表廠商以及專家，透過專題演講、產品展示與互動交流，從元件、模組到系統，從概念設計到開發工具，深入介紹嵌入式系統設計領域的最新趨勢、創新和關注重點，並深入分享關於嵌入式系統設計的經驗、成果以及遇到的實際挑戰及其解決方案。

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