超低導通電阻Nch MOSFET 提高應用設備效率
Rohm新推出「RS6xxxxBx/RH6xxxxBx系列」共13款Nch MOSFET產品(40V/60V/80V/100V/150V)…

該系列產品非常適合驅動以24V、36V、48V等級電源供電的應用,例如基地台和伺服器電源、工控和消費性電子設備用的馬達等。
近年來,全球電力需求量持續增加,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,從而要求不斷提高各種馬達和基地台、伺服器等工控設備的效率。在上述應用中,中等耐壓的MOSFET被廣泛應用於各種電路中,製造商也因此要求能進一步降低功耗。另一方面,導通電阻和Qgd是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數,但對於普通的MOSFET而言,由於導通電阻與晶片尺寸成反比,Qgd會成比例增加,因此很難同時兼顧這兩項參數。針對這個課題,Rohm透過微細化製程、採用銅夾連接、重新檢視閘極結構等措施,改善了兩者之間難以取捨的關係。
新產品不僅利用微細化製程提高了元件性能,還透過採用低阻值銅夾連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻(Ron),與傳統產品相比,導通電阻降低了50%。另外,透過重新檢視閘極結構,Qgd (閘極-汲極間電荷量,通常與導通電阻之間存在難以取捨的關係)也比傳統產品減少了約40% (Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產品之間的比較)。因此可以降低開關損耗和導通損耗,非常有助各種應用產品的高效率工作。例如,在工控設備用電源評估板上比較電源效率時,新產品在穩定工作時的輸出電流範圍內,實現了業界超高的電源效率(峰值時高達約95%)。
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