H2系列ICeGaN HEMT採用CGD的智慧閘極介面，幾乎消除一般E模式GaN的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升dV/dt抑制和ESD保護效果。新型650V H2 ICeGaN電晶體與前代裝置相同，是以類似矽MOSFET的方式驅動，無需使用效率不彰的複雜電路，而是採用市面上供應的工業閘極驅動器。

最後H2 ICeGaN HEMT的Q_G比矽製零件低10倍，Q_OSS則低5倍，因此H2 ICeGaN HEMT能夠在高切換頻率情況下大幅減少切換損耗，有助於縮減尺寸及重量。這實現了領先同類產品的效率及效能，在SMPS應用中比業界最佳的矽MOSFET整整高出2%。

ICeGaN H2系列採用創新的NL³ (無載及輕載)電路，與GaN開關一同於晶片內建整合，提供創紀錄的低功率損耗。先進的箝位結構搭配整合式米勒箝位(Miller Clamp)電路(同樣內建於晶片)，無需使用負閘極電壓，因此可實現真正的零電壓關斷，並提升動態R_DS(ON)效能。這類E模式(通常為關閉)單晶片GaN HEMT包含單體整合介面及保護電路，提供無可比擬的閘極可靠度及設計簡易度。最後電流感測功能可減少功率耗散，並可直接與接地連接，實現最佳的冷卻及 EMI。

活動簡介

從無線連接、更快的處理和運算、網路安全機制、更複雜的虛擬實境(VR)到人工智慧(AI)等技術，都將在未來的每一個嵌入式系統中發揮更關鍵功能。「嵌入式系統設計研討會」將全面涵蓋在電子產業最受熱議的「智慧」、「互連」、「安全」與「運算」等系統之相關硬體和軟體設計。

會中將邀請來自嵌入式設計相關領域的研究人員、代表廠商以及專家，透過專題演講、產品展示與互動交流，從元件、模組到系統，從概念設計到開發工具，深入介紹嵌入式系統設計領域的最新趨勢、創新和關注重點，並深入分享關於嵌入式系統設計的經驗、成果以及遇到的實際挑戰及其解決方案。

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