為高功率應用帶來優勢 QDPAK/DDPAK TSC封裝成JEDEC標準
英飛凌科技開發了適用於高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部冷卻(TSC)封裝,並成功註冊為JEDEC標準...

為了永續環境,節能減碳、淨零碳排的風潮已席捲全球,各國的相關法規也已出爐;另一方面,在疫情中獲得各產業極度重視的數位化浪潮,疫情後依然持續成為全球發展焦點,然而這些全球勢必戮力發展的趨勢,為產業帶來了眾多好處,但也衍生了新的挑戰。其中,持續朝高功率系統應用邁進,即是重要的轉變。
目前,包括電動車(EV)、太陽能和風力發電,以及雲端伺服器與資料中心,為了提高能源效率,皆已開始導入更高的功率系統。英飛凌(Infineon)電源及感測系統事業部協理陳志星表示,許多應用為了能夠符合地球與環境永續性發展,紛紛採用更高的功率系統,與此同時,應用不能因為系統走向更高瓦數,而犧牲了其他如尺寸、效率…等。因此,業者也致力研發新的解決方案,以期能夠提升高功率系統的效率、功率密度,進而降低產品重量、尺寸,以及成本。
要達到上述的目標有幾個方式,陳志星指出,首先是改用新的半導體材料——以及近幾年相當夯的碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)半導體,以其優於傳統矽元件的特性,在高壓系統中發揮效益;另一方面則是透過封裝技術,即便仍是使用矽功率元件,也能做到。
為此,在功率半導體深耕已久的英飛凌,開發了適用於高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部冷卻(TSC)封裝,並成功註冊為JEDEC標準。陳志星說明,眾所周知,功率越大,元件更易生熱,而傳統使用的TO220封裝與DDPAK相比,阻抗(Rth)較大,溫升也較快,造成損耗增加,因此限制其適用的功率範圍,無法用於更高壓的系統。
此外,DDPAK頂部冷卻封裝,由於是將金屬散熱片放置在頂端,因此熱會聚集在最高處並散逸,因此不會導致印刷電路板(PCB)溫度上升,最多可比標準底層冷卻(BSC)降低35%的熱阻,進而充分發揮PCB雙面的效益,提供較佳的電路板空間利用率,以及最少兩倍的功率密度。
相較DDPAK,QDPAK頂部冷卻封裝內部空間更大,可以放的晶片尺寸更大,約可增加25%。陳志星解釋,晶片越大,使用頂部冷卻可讓散熱的途徑更多,因此QDPAK頂部冷卻封裝可用於更大功率的應用,並可更加提升功率密度與效率。
由於DDPAK與QDPAK採用頂部冷卻,無須再堆疊各種不同板子,且僅需單一FR4元件就足夠,需要的接頭也較少,因此可以降低整體系統的成本。陳志星強調,DDPAK和QDPAK頂部冷卻封裝技術的優勢,可以加速工業、汽車等應用朝向高壓系統邁進外,兩項封裝成為JEDEC標準後,也能推動市場採用頂部冷卻技術,以取代傳統的TO247和TO220封裝。不僅如此,更能讓設計工程師研發出更與眾不同的產品,提升產品價值與效率、功率密度、可靠性…等。
DDPAK及QDPAK外型與尺寸,由於高度相同,設計師者可搭配使用。此外,QDPAK封裝因增加冷卻面積,因此可減少元件數量。
(來源:英飛凌)
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