2018-01-15 - TrendForce

美光、英特爾終止NAND研發合作 影響2020年浮現

Micron與Intel宣布其NAND Flash合作夥伴關係將於完成第三代3D-NAND Flash開發之後終止,各自研發未來的NAND Flash技術,但仍維持3D XPoint記憶體合作開發。

2018-01-12 - Dylan McGrath

英特爾與美光將在第3代NAND後分道揚鑣?

英特爾和美光計劃在第三代3D NAND的研發完成後正式分道揚鑣,但仍將繼續共同開發和製造3D XPoint非揮發性記憶體…

2017-12-29 - HOY Technologies

記憶體測試電路開發環境加速AI晶片實作

與AI有關的晶片設計需要處理更多且更複雜的運算,以及更大容量的SRAM儲存龐大資料,厚翼「記憶體測試電路開發環境BRAINS」提供最佳化記憶體測試電路,大幅縮減測試時間、費用與開發時程。

2017-12-28 - Conrado Canio,華邦電子技術行銷經理;黃信偉,產品企劃經理

利用高效能記憶體達到物聯網的低成本要求

藉由高速QSPI或QPI串列式快閃記憶體,有助於設計人員實現XiP操作以省去使用DRAM元件,從而節省空間並降低元件的數量和成本;為了進一步節省空間,還可以使用串列式堆疊封裝記憶體——SpiStack…

2017-11-03 - Gary Hilson

NOR Flash滿足即時啟動應用要求

Adesto EcoXiP系列利用新的JEDEC標準,為系統開發和設計人員提供與週邊裝置、控制器的相容性,可望進一步加速標準採用。

2017-10-25 - Anil Gupta,華邦電子(美洲)公司技術總監;黃信偉,華邦電子產品企劃經理

快閃記憶體如何進化以符合車用電子的功能安全需求?

為了滿足諸如自動駕駛輔助系統和其他汽車內部系統,華邦正把與安全相關的系統功能整合於針對車用市場開發的NOR型快閃記憶體系列,進一步符合國際ISO26262規範的汽車安全完整性標準…

2017-10-12 - Dylan McGrath

MRAM帶動STT記憶體策略轉型

新創公司STT看好MRAM取代DRAM和NAND的前景:即使DRAM和NAND如今是大量市場的主流,但MRAM將成為一種更好的嵌入式記憶體技術,而且可能取代SRAM…

2017-09-28 - Gary Hilson

ReRAM SSD加速資料中心存取效能

Mobiveil與Crossbar合作將Mobiveil NVMe SSD IP導入Crossbar ReRAM IP區塊,開發出以ReRAM為基礎的SSD設計,據稱能以低於10µs延遲支援每秒512-bit I/O作業,加速資料中心的資訊存取。

2017-09-27 - 湯朝景

DRAM的技術瓶頸與創新

本文針對DRAM隨半導體製程微縮帶來的技術挑戰提出新的製作、控制與存取技術,以補償電晶體的洩漏電流以及電容器的直接穿隧電流。

- CS Lin,華邦電子北美分公司行銷總監;Vivian Cheng,華邦電子技術副理

安全認證快閃記憶體:提供快閃記憶體晶片之安全認證功能

在物聯網系統中,安全性所受到的威脅遠超過產品本身的仿冒,甚至是既有產品遭到惡意程式植入和竄改,而失去控制權或被入侵攻擊。那麼,如何防止外部快閃記憶體被複製、竄改甚至非法存取,從而提升其安全性?

2017-09-22 - Rick Merritt, EE Times矽谷採訪中心主任

DDR5可望成為下一代主流記憶體介面?

記憶體頻寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5記憶體介面晶片來了,預計最快在2019年量產,為伺服器的主記憶體帶來更高效能與功率管理…

2017-09-21 - Dylan McGrath

東芝案拍板? 180億美元賣貝恩陣營

東芝(Toshiba)宣佈同意將其Flash業務賣給以Bain Capital為主導的陣營,這筆收購交易金額約180億美元,預計將在明年3月31日前完成。但未來是否還會出現變數?