2017-08-18 - Rick Merritt

首款Gbit MRAM晶片亮相!

新的1-Gbit MRAM晶片可作為非揮發性緩衝器與編寫快取,最終在SSD與快閃記憶體儲存陣列中找到取代DRAM的出路…

2017-08-17 - CC Wu,宜鼎國際快閃事業群副總裁暨美國分公司執行副總裁

儲存技術將改寫監控產業資料處理方式

採用SSD做為資料記錄的方式,有助於進行資料分析,進而實現臉部辨識和自動化交通控制等先進功能;此外,隨著HDD與SSD之間的相對價差拉近,SSD如今已能為傳統監控設備提供更高的性價比…

2017-07-17 - Susan Hong

新興應用推波助瀾 SD記憶卡重拾成長動能

看好SD卡在手機擴充儲存的成長潛力,慧榮科技推出針對最新SD 6.0的控制IC,支援新版規格要求的A2應用效能與LVS標準,大幅提升記憶卡效能…

2017-06-21 - Gary Hilson

64層堆疊是3D NAND的「甜蜜點」?

64層堆疊的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門檻,預計將在未來18個月內成為市場主流...

2017-06-08 - Junko Yoshida

未來車輛需要TB容量的記憶體嗎?

對於未來高度自動化或完全自動駕駛的汽車來說,究竟需要多少記憶體才足以擷取、處理和儲存資料?連網車輛需要高達TB級的資料儲存空間嗎?

2017-06-02 - Martin Booth

車用儲存商機起飛的推手是…

除了快速變化中的資訊娛樂系統,越來越多的連網車輛、先進輔助駕駛系統(ADAS)以及自動駕駛車正大幅改變汽車製造商對於車輛的本地機載儲存要求…

2017-04-28 - Macronix

超低功耗QSPI flash拓展智慧穿戴裝置市場

旺宏電子64Mb超低功耗Quad-SPI Flash Memory將應用於ST新款STM32L496G微控制器開發套件

2017-04-20 - Toshiba

手機儲存的未來:eMMC快速轉向UFS

隨著遊戲與視訊應用在行動裝置上的普及,以及手機處理器性能的提升,eMMC的性能已經不能滿足行動裝置對於記憶體讀寫性能的要求,新一代的通用快閃記憶體儲存(UFS)規格應運而生。

2017-02-10 - Peter Clarke

比NAND速度更快千倍的40nm ReRAM投產

專為eNVM應用打造的Crossbar ReRAM的密度比DRAM更高40倍,耐久度與寫入速度更高1,000倍…

2017-01-04 - Graham Prophet

高密度儲存技術容量較DVD更高百萬倍

由於「衍射極限」的限制,使得光儲存途徑一直無法實現較高的資料儲存密度...