適用於醫療領域的高性能臭氧發生器

上傳時間 2024-03-12
在醫療領域,MediPlas系統最適合滅菌和消毒。裝有 MediPlas Reactor 和 MediPlas Driver 的設備可以減小與醫療設備、口罩和管道等污染表面接觸的病原體嘗試。因此,不需要昂貴的真空設備或有毒化學品,使得它的使用具有成本效益且兼顧環保。
  • TDK
  • 醫療電子

Moku + ChatGPT: 解鎖 FPGA 高效編程能力

上傳時間 2024-03-05
Liquid Instruments 利用 FPGA 可重構性技術, 結合高速 ADC、DAC硬體配置及可靠的即時數位訊號處理/運算研發出了 Moku:Pro、Moku:Lab 和 Moku:Go 軟體可定義精密測試測量儀器平台。   透過軟體定義儀器的方式, Moku 系列產品上已經整合了13種測試測量儀器功能,但 Moku 的能力遠不止於此。 FPGA 可客製化且靈活度高的特點讓我們可以按需開發並即時驗證符合特定需求和條件的功能,一般來說這需要對 FPGA 進行相應的程式設計。 但不同於我們常規使用的程式語言, FPGA 的程式設計需要使用硬體描述語言 (HDL) 來完成,而它又相對不容易被學習和掌握。   Liquid instruments 使用的VHDL 是一種常用的HDL,這篇白皮書將引導使用者透過使用像ChatGPT 這樣的人工智慧(AI)語言模型,無論您是VHDL 的初學者,或者您對VHDL 有了一定的認識和 了解,抑或您是VHDL 領域的專家,您都可以透過該語言模型快速產生符合需求的VHDL 程式碼。 您只需要4個步驟與 ChatGPT 互動:「提交您的指令或需求」、「調整您的指令或需求」、「複製您的程式碼」和「部署您的程式碼」。 甚至隨著時間推移逐步修正您的需求來迭代更新 VHDL 程式碼,以滿足不斷變化的測試需求。電子書現有英文版本。
  • Liquid Instruments

IP設計領域的變革先鋒:設計階段的驗證工作

上傳時間 2024-01-24
商業IP設計市場競爭異常激烈,與此同時,內部IP設計策略爲企業提供了嶄露頭角的機會,通過在IC設計中過融入創新功能,實現競爭優勢。但無論哪種路徑,確保所創建的IP不僅滿足簽核標准,還具備集成到大規模設計中的能力,是走向成功的關鍵。由于IP需要適應多種設計場景,因此,其單元必須具備強大的穩健性,靈活應對各種設計風格和動態變化。精確周密的物理驗證工作是實現此類適應性的途徑。優化設計、實施及IP驗證的時間與資源投入,將直接提升産品的市場競爭力和盈利潛力。
  • Siemens

通過早期封裝組裝驗證降低3DIC設計複雜性

上傳時間 2024-01-24
與集成電路(IC)設計不同,二維半和三維集成電路(2.5DIC和3DIC)由多個獨立的芯粒組成,每個芯粒都可能采用最適合特定用途的獨立工藝節點進行構建。這種靈活性導致所有三個維度中集成了不同材料的多個組件,爲2.5/3DIC設計師帶來了前所未有的驗證挑戰。然而,與IC/SoC設計師一樣,3DIC設計師也有多種選擇來優化設計,並在流程早期進行物理驗證,以便在更容易對設計做出修改的時期及早發現並消除組裝問題。
  • Siemens

應對設計挑戰:區塊/芯片設計階段驗證

上傳時間 2024-01-24
集成電路(IC)設計流程通常被視作一個線性過程,其中每一階段都需在前一階段完成之後才能進行。然而,現實情況是,由于上市時間和資源限制,系統設計的各個層級必須同時進行。區塊和全芯片設計師必須妥善處理這些重疊的叠代過程,包括在整個設計和實施流程中進行的驗證工作。傳統模式下,設計創建過程是在布局布線(P&R)工具中進行的,而大部分物理驗證、靜態時序分析和可靠性驗證則在其他工具中進行,這些工具需要從P&R工具中導出數據,進行外部評審/調試,然後通過耗時的重複循環叠代回到P&R工具中進行清理和優化設計。在簽核驗證的關鍵時刻,設計師還需解決P&R工具與Calibre簽核驗證工具在複雜規則覆蓋和准確性方面的差異問題。
  • Siemens

【技術白皮書】ROHM第4代SiC MOSFET的特性及優勢介紹

上傳時間 2023-10-18
對於功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短,兩者之間存在著權衡取捨關係,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,也必須同時考慮如何兼顧短路耐受時間。 ROHM推出的「1200V 第4代SiC MOSFET」,透過ROHM獨創雙溝槽結構,在不犧牲短路耐受時間的前提下,與舊有產品相比,成功地將單位面積的導通電阻降低了約40%。而藉由大幅降低閘極-汲極間電容(Cgd),比傳統產品成功降低約50%的切換損耗,非常適用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。 ROHM 第4代SiC MOSFET專頁 https://www.rohm.com.tw/products/sic-power-devices/sic-mosfet
  • ROHM
  • Power
  • SiC MOSFET

電源迴路的低阻抗設計

上傳時間 2023-10-16
近年來,由于集成電路功能複雜,電子電路需要更低的電壓和更大的電流。這種變化要求降低對電壓波動的容限,從而必須降低阻抗。本技術文件探討了 PDN 設計基礎、去耦電容器類型、排列方式以及通過電路板設計最大限度降低阻抗的要點。
  • Murata

利用 Calibre 左移,優化集成電路設計流程的生産率、設計質量和上市時間

上傳時間 2023-10-10
每個 IC 設計人員都會努力創建一個 "幹淨 "或無差錯的單元、模塊、芯片組、SoC 或 3D IC 組件,然後再將其工作傳遞往下進行全面簽收驗證。然而,等到簽收驗證時才發現自己的表現可能是實現生産就緒布局的最低效方法,這會影響工程師的工作效率、項目進度和硬件資源。 集成電路設計采用“左移”策略,在集成電路設計周期的早期和整個過程中進行驗證分析,可帶來顯著的競爭優勢。Calibre® nmPlatform 工具套件中的早期分析功能提供了經過驗證的創新左移解決方案(包括人工智能),使設計公司能夠在確保 Calibre 質量結果的同時,實現他們所追求的生産力、效率和成本降低。
  • Siemens

Calibre平台中的“左移”對于集成電路設計師意味著什麽?

上傳時間 2023-10-10
全球對功能更多、速度越快的電子産品需求持續增長。在這一趨勢推動下,集成電路(IC)設計公司不斷尋求方法,在縮短上市時間的同時,提供更多功能、更高可靠性和更出色性能的産品,以實現盈利。爲了達到這一目標,經精心策劃的左移策略可以在交付進度中節省關鍵時間和資源,同時保持或改善産品質量。 雖然在這個背景下,左移聽起來非常合理,但對于IC設計師和布局與布線(P&R)工程師來說,實施左移驗證策略到底意味著什麽呢? 在本技術論文中,您將了解可用的工具、技術和功能,以及實施左移驗證策略對IC設計師和P&R工程師的影響。
  • Siemens

Calibre IC設計和實現流程中的四個基石

上傳時間 2023-10-10
隨著半導體行業邁入數字化轉型的新時代,各地的設計公司紛紛轉向左移戰略,以應對縮短設計周期的挑戰,同時最大限度地提高生産率、優化資源效率、確保設計質量並加快産品上市時間。 爲了克服集成電路設計中的這些挑戰,Calibre 左移技術包括專門爲設計階段設計驗證和優化設計而設計的工具和功能,這些工具和功能通過四個基本支柱實現: 驗證、執行、調試和修正。 在本技術論文中,您將了解集成電路設計驗證的四大基礎支柱如何通過提供集成電路設計左移方法來幫助您克服設計挑戰,在集成電路設計周期的早期執行驗證分析,從而帶來顯著的競爭優勢。
  • Siemens

EE Times 2023年silicon 100完整榜單(共88頁)

上傳時間 2023-07-27
EE Times 每年都會彙總一份有潛力産生持久影響的電子和半導體初創公司名單。現已推出v23 版的Silicon 100。Silicon 100 並不是每個類別中“最佳初創公司”的排名。它超越了主觀因素,爲資本投資者、企業家、企業高管和市場分析師提供了初創企業持續增長的關鍵指標。 今年的版本還將其技術分類擴展到24個領域,從基礎的材料和封裝,到抽象的量子計算和安全。 • 材料、工藝、封裝 • 印刷電子 • 芯片制造設備 • 光伏 • 能量采集 • GaN、SiC、功率半導體 • 代工 • EDA、IP、設計服務 • 模擬、混合信號、PMIC • 內存、存儲 • 生物電子、醫療 • MEMS、傳感器、執行器、觸覺反饋 • 光電器件、圖像傳感器 • 顯示設備、顯示器、驅動芯片 • RF和物聯網 • 5G和RF • 雷達、激光雷達、ADAS • 音頻、視覺處理 • 通用處理器、MCU、網絡、FPGA • 光子加速、計算 • GPU到數據中心的AI • 邊緣人工智能 • 量子計算 • 安全 Silicon 100電子書內也囊括了中國Fabless 100的名單,這是AspenCore的中國分析師團隊第三年涉足國內IC設計生態系統,根據公司的技術屬性及增長潛力對Fabless進行排名。
  • Aspencore
  • Silicon100

【技術白皮書】羅姆GaN HEMT元件在高解析LiDAR應用的參考設計

上傳時間 2023-07-10
據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半,為實現無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的課題,因此SiC和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。 2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產;2023年3月又確立了能大幅發揮GaN性能的控制IC技術。為助力提升電源系統效率和實現小型化,ROHM再推出元件性能達到業界頂級水準的650V耐壓GaN HEMT。 該產品是由ROHM與台達電子旗下子公司—碇基半導體所聯合開發而成,在650V GaN HEMT的元件性能指數方面,達到了業界頂級水準,因此可大幅降低開關損耗,進一步提高電源系統效率。另外新產品還內建ESD保護元件,將抗靜電能力提高至3.5kV,有助提高應用產品可靠性。不僅如此,新產品還具有GaN HEMT元件的優勢—高速開關工作,有助週邊元件小型化。 在本白皮書中,將針對提升LiDAR特性有極大貢獻的雷射二極體、GaN HEMT(EcoGaN™)及GaN 驅動用閘極驅動器進行解說,同時也公開了作為解決方案的參考設計。 相關資訊: https://www.rohm.com.tw/news-detail?news-title=2023-05-18_news_gan&defaultGroupId=false https://www.rohm.com.tw/news-detail?news-title=2023-03-22_news_gan-npc&defaultGroupId=false
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