5nm 及以下技術節點的多重曝光選擇:SADP、SAQP、SALELE

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5nm 及以下技術節點的多重曝光選擇:SADP、SAQP、SALELE

傳統的微影蝕刻多重曝光製程有對齊控制的問題,因此無論採用何種微影技術,自動對齊多重曝光製程都已成為最先進節點必須採行的製程。文章提供詳盡逐步解說,有助於您瞭解 SADP、SAQP 及 SALELE 製程。

 

【下載有好禮】完成此份白皮書的下載,即可參與Airpods的贏取。

活動時間:2020年8月5日至9月19日

獲獎名單:將於2020年9月25日公佈

以下白皮書同時參與此【下載有禮】活動,下載篇數越多 ,中獎幾率越大。

Inphi 案例研究:改善數位設計生產力

邏輯驅動式 Layout:實現全晶片環境感知 ESD 驗證

Calibre PERC 進階電壓感知 DRC 提供當今複雜設計所需的極高準確性

多重曝光的顏色最佳化考慮因素

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