英飛凌大幅提升逆變器功率密度

作者 : Infineon

英飛凌科技(Infineon)發佈採用EconoDUAL 3標準工業封裝的全新1,700V TRENCHSTOP IGBT7模組。

憑藉這項全新的晶片技術,EconoDUAL 3模組可提供業界領先的900A和750A額定電流,進一步拓展逆變器的功率範圍。該模組可廣泛應用於風電、馬達驅動和靜態無功產生器(SVG)等應用。

與過去採用IGBT4晶片組的模組相比,基於TRENCHSTOP IGBT7晶片的FF900R17ME7_B11模組在相同的封裝尺寸下,可將逆變器的輸出電流值提高40%。全新的1700V IGBT7模組還顯著降低了靜態和動態損耗,同時解決了諸多應用中二極體晶片普遍存在的靜態損耗高的問題。此外,這項新晶片技術可增強du/dt的可控性,並提高二極體軟切換特性。在宇宙射線的影響下,FIT率也顯著降低——這是在高壓直流母線電壓下工作時的一項重要參數。不僅如此,這款新功率模組的最大超載接面溫度為175℃。

領先業界的1,700V EconoDUAL 3模組具有900A和750A兩個電流等級,其中750A的模組採用了更大的二極體,旨在進一步提升該產品組合的靈活性。總體而言,採用TRENCHSTOP IGBT 7晶片的全新1,700V EconoDUAL3模組能夠提高逆變器的功率密度,在豐富的應用中實現性能水準的全面提升。

 

 

 

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