全新MOSFET提升功率密度與效能

作者 : STMicroelectronics

意法半導體(STMicroelectronics,ST)新推出STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體。

新MOSFET適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器(Switched-Mode Power Supply,SMPS)。

650V STP65N045M9與600V STP60N043DM9為首批上市的兩款元件,其單位面積的導通電阻(RDS(on))非常低,可以最大限度提升功率密度,並有助於縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)皆領先同類產品,STP65N045M9為45mΩ,STP60N043DM9則為43mΩ。由於閘極電荷(Qg)十分低,在400V汲極電壓時的典型值為80nC,兩款元件皆擁有目前市面上一流的RDS(on)max × Qg品質因數(FoM)。

STP65N045M9的閘極閾開啟電壓(VGS(th))典型值為3.7V,STP60N043DM9的典型值則為4.0V,相較上一代的MDmesh M5和M6/DM6,可最大限度地降低開關損耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr)亦極低,有助於進一步提升效能和開關性能。

意法半導體最新高壓MDmesh技術另一特點是增加鉑擴散製程,確保體反應速度快的寄生二極體。該二極體恢復曲線(dv/dt)峰值高於早期製造技術。MDmesh DM9全系列產品皆具非常高的穩定性,在400V電壓時可耐高達120V/ns的dv/dt曲線。

意法半導體新MDmesh M9和DM9產品STP65N045M9和STP60N043DM9均採用TO-220功率封裝,現已量產,2022年第二季末將由代理商銷售。2022年底前還將增加標準貼裝和通孔封裝。

 

 

 

 

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