新參考設計組合加快氮化鎵電源配接器開發

作者 : Transphorm

Transphorm推出七款參考設計,旨在加快採用氮化鎵(GaN)的USB-C PD電源配接器的研發。

該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項,涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W~140W)。電源配接器參考設計採用SuperGaN第IV代650V FET,具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢,這些特點已經成為Transphorm氮化鎵元件的代名詞。在最近的對比分析中,與175mΩ的e-mode氮化鎵元件相比,Transphorm的240mΩ SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度,並在50%和100%(全)功率下擁有更高的性能。

Transphorm的參考設計組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設計,頻率範圍從140~300kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發的一款65W主動鉗位返馳模式(ACF)參考設計,執行頻率為140kHz,峰值效率為94.5%。

Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放架構的USB-C PD/PPS參考設計,頻率範圍110~140kHz。Transphorm與Diodes合作開發了這兩款解決方案,利用該公司的ACF控制器實現了超過93.5%的峰值效率。

 

 

 

 

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