Transphorm擴大SuperGaN平台優勢

作者 : Transphorm

Transphorm宣佈新增的TP65H050G4BS元件擴充了其表面黏著封裝產品系列。

這款全新高功率表面黏著元件(SMD)是一款採用TO-263 (D2PAK)封裝的650V SuperGaN場效電晶體(FET),典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,豐富了目前面向中低功率應用的PQFN元件。

TP65H050G4BS通過JEDEC認證,為設計者和製造商提供了多項優勢,賦能他們開發通常用於資料中心和廣泛工業應用的高功率(數瓩到幾瓩)系統。它具有Transphorm一流的可靠性、閘極穩健性(±20Vmax)和抗矽雜訊閾值(4V),以及氮化鎵技術所具備的易設計性和驅動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面黏著封裝需求,與PQFN封裝相比,D2PAK可以實現更好的熱性能,同時幫助使用者透過單一的製造流程提高PCB組裝效率。

D2PAK可作為分離式元件提供,也可配套垂直子卡,以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板,以驅動多瓩功率。

Transphorm是當前提供標準TO-XXX封裝的高壓氮化鎵元件的唯一氮化鎵供應商。值得注意的是,鑒於其固有的閘極損壞敏感性,這些封裝產品不支援替代性的增強型氮化鎵技術。

 

 

 

 

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