40V MOSFET電晶體具更佳節能降噪特性

作者 : STMicroelectronics

意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG…

新產品可降低導通電阻和開關損耗,同時最佳化體寄生二極體之特性,降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊。STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分別為首款符合工業標準和AEC-Q101汽車標準的STPOWER STripFET F8 MOSFET元件,是電池供電產品和運算、電信、照明和通用功率轉換應用的理想選擇。

新型40V N通道加強型MOSFET利用最新一代STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術達到卓越的品質因數。在閘源極電壓(VGS)為10V時,STL320N4LF8和STL325N4LF8AG之最大導通電阻(Rds(on))分別為0.8mOhm和和0.75mOhm。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低,因此可採用節省空間且熱效率高的PowerFLAT 5×6封裝。

意法半導體先進STripFET F8技術開關速度十分出色,其低晶片電容可以最大限度降低閘漏電荷等動態參數,提升系統效能。設計人員可在600kHz~1MHz範圍內選擇開關頻率,以便於使用尺寸更小的電容和磁性元件,進而節省電路尺寸和物料清單成本,提升終端應用的功率密度。

適當的輸出電容和相關的等效串聯電阻可防止漏源電壓出現尖峰,並確保在二極體關斷時突降振盪時間更短。 藉由這一點和二極體的軟恢復特性,STL320N4LF8和STL325N4LF8AG發出的電磁干擾(EMI)低於其他類似元件。此外,體寄生二極體的反向恢復電荷極低,可最大限度地減少硬開關拓撲的能量損耗。

閘極閾壓(VGS(th))在STL320N4LF8和STL325N4LF8AG中受到嚴格控制,確保元件之間的閾壓差異低,以便並聯多個MOSFET功率元件,處理更大的電流。其短路耐受能力亦非常出色,可承受高達1,000A的電流(脈衝短於10µs)。

 

 

 

 

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