Cambridge GaN Devices搶佔功率半導體裝置市場

作者 : Cambridge GaN Devices

由Parkwalk Advisors和BGF主導的募資將使CGD實現氮化鎵電晶體(GaN transistor)系列的量產目標並為全球永續發展運動做出貢獻。

Cambridge GaN Devices (CGD)是一家無晶圓廠半導體公司,於2016年從英國劍橋大學工程系著名的功率裝置集團分割出來,已募集1,900萬美元的Series B資金。此投資案由Parkwalk Advisors和BGF領投,另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology和Martlet Capital跟投。投資將使CGD能開始量產其用於功率應用的GaN電晶體系列。

CGD已取得驚人的進展,開發出新的知識財產,在市場上推出其最新的ICeGaN氮化鎵電晶體系列,滿足全球市值達500億美元的功率半導體市場的需求。公司具有獨特優勢,為眾多產業帶來顛覆性創新,例如消費產品和工業電源供應器、照明、資料中心與HEV/EV。CGD創新易用的技術為電子設備提供高效、永續且更符合成本效益的電源解決方案。

CGD在國際會議和備受尊崇的媒體上獲得全球廣大的吸引力和關注。CGD目前正在進行一項由歐洲資助金額達1,000萬美元的專案,開發用於低功率和高功率應用的GaN 模組(GaNext);也參與一項英國針對採用GaN裝置的PCB嵌入式電源系統(P3EP)的供應鏈計劃,最近也剛啟動一項專案,投入開發可減少資料中心排放、高可靠度的GaN功率電晶體和IC (ICeData)。CGD同時也專注於與客戶建立重要的合作夥伴關係,結盟將重點放在資料通訊和汽車解決方案的客戶。公司已完成品牌開發,搬遷到新辦公室,目前在全球有40多名員工,同時也計劃擴編更多員工,以持續擴大規模。

 

 

 

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