三星半導體(Samsung Semiconductor Inc. ,SSI)的高層透露了該公司晶圓代工廠技術藍圖細節,包括將擴展其FD-SOI產能,以及提供現有FinFET製程的低成本替代方案。

而其中最受矚目的就是三星將開發低成本14奈米FinFET製程(14奈米LPC),該公司已經出貨了超過50萬片的14奈米製程晶圓,並將該製程的應用擴展到網路/伺服器以及汽車等領域,但三星的晶圓代工業務行銷資深總監Kelvin Low表示,他預期下一代應用將可擴展至需求較低成本的項目。

「總是會有一些關於成本與性能權衡的疑慮,」Low接受EE Times美國版編輯訪問時表示:「LPC與LPP (14奈米)有同樣的PDK,而製程步驟已經減少…這讓我們能達到較低的製造成本,而且我們決定將之與我們的客戶分享。」

三星也將在今年提供14 LPC的RF附加技術;Low並未說明那些製程步驟被減少,也未提及14奈米LPP (即Low-Power Plus,為三星第二代14奈米FinFET製程技術)與LPC之間的成本差異到底有多少,僅表示較低成本的製程技術選項將能在今年某個時間提供。

Low補充指出,三星將發表10奈米LPP製程技術,在性能上會比第一代的10奈米LPE (Low-Power Early)製程提升10%;而雖然三星的晶圓代工事業部門已經開始研發7奈米LPP節點,並號稱在功耗、性能與面積(PPA)的微縮上具競爭力,但Low表示在10奈米節點與7奈米節點之間會有一些模糊地帶。

「我們認為10奈米節點的壽命會比其他晶圓代工廠所聲稱的更長,而我們認為7奈米節點必須要以大量生產為目標進行定義與最佳化,不只是鎖定高利潤的產品;」Low表示:「EUV微影技術會是讓7奈米節點技術達到可負擔之成本的重要關鍵。」

據了解,三星最近已經向一組客戶簡報其EUV技術現況,但細節不便對媒體透露;Low表示,該公司已經有一些樣本產出,但還不到可以宣布7奈米製程EUV技術可行的地步。

在現有技術方面,三星正在提升8吋晶圓技術的產能,從180奈米到65奈米節點;8吋晶圓技術將涵蓋嵌入式快閃記憶體(eFlash)、功率元件、影像感測器,以及高電壓製程的生產。「我們持續收到客戶對8吋晶圓技術產能的需求,」Low表示:「我想目前在某些特定區域仍供不應求,而且相關需求越來越顯著。」

三星也將在現有的28奈米FD-SOI基礎上,於2017、2018年添加RF與嵌入式非揮發性記憶體(NVM)技術;該公司將更聚焦於先進製程技術,而非出貨量已經下滑的智慧型手機相關技術。Low表示:「重要的是有很多新應用出現,都是非常令人興奮的東西;」他指出,如汽車應用市場對該公司就是不少可期待的商機。

為了克服先進製程節點的挑戰,Low表示三星正積極與客戶進行更深一層、更早期的合作;該公司也會對客戶開放其設計流程以及設計方法,以加速產品設計時程。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: Samsung Details Foundry Roadmap,by Jessica Lipsky)