SiC MOSFET功能的影響力確實讓人印象深刻。功率轉換配置運作時所使用的切換頻率,可達現今所使用之三倍或更高,其帶來的好處能減少磁性元件和系統外殼製造材料中的銅與鋁含量,有助於製造出更小及更輕的系統,以減少運輸需求,也更容易安裝。而功率轉換應用的設計人員更能創造出節能的新解決方案,並在全新範疇中運用效能、效率和系統彈性。

新的1,200 V SiC MOSFET經過最佳化能兼顧可靠性和效能。其運作時的動態損耗比1,200V Si IGBT降低了一個數量級,可從根本上更為最佳化的系統,應用包括:光電逆變器、不斷電系統(UPS)或充電器/儲存系統等,而之後也將延伸至工業馬達應用。

MOSFET與一般驅動IGBT所用的+15V/-5V電壓完全相容,並結合目標應用所需的4V的導通臨界電壓(Vth)和強健的短路電流需求及可完全控制dv/dt特性。更勝Si IGBT替代方案的主要優點包括不受溫度影響的切換損耗,以及無最低導通電壓的導通特性。

依據累積多年SiC半導體開發經驗,全新 MOSFET 採用最先進的溝槽半導體製程,同時也是英飛凌 CoolSiC技術全系列產品的最新發展。此系列包括蕭特基二極體和1200 V J-FET裝置以及在模組裝置中結合Si IGBT與SiC二極體的各種混合式解決方案。

第一款分離式1200V CoolSiC MOSFET的額定導通電阻(RDS(ON))僅45mΩ,針對光電逆變器、不斷電系統、充電器和能源儲存應用,提供3針腳和4針腳的TO-24 封裝。因為整合了穩定的本體二極體,其運作時反向回復損耗接近零,因此兩種裝置皆可在同步整流線路中使用。4針腳封裝在源極上設有額外的(Kelvin)連線,可作為閘極驅動電壓的參考電位。由於消除了因源極電感帶來的壓降影響,因此特別是在使用較高切換頻率的時候能進一步減少切換損耗。

英飛凌同時推出採用SiC MOSFET技術的1200V Easy1B半橋式與升壓器模組,由於結合了PressFIT連線與良好的散熱介面、極低的離散電感與堅固設計,因此每個模組皆提供11mΩ和23mΩ兩種額定RDS(ON)選項。